时间：2025/10/6 23:55:57
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UBX1C222MHL是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的去耦、滤波和储能应用。该器件属于村田的通用型陶瓷电容产品线，具有较高的体积效率和可靠的电气性能，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中。该型号遵循EIA标准尺寸编码，采用0805（2012公制）封装，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。其命名规则符合村田的编码体系：U代表系列或介质类型，B表示温度特性与尺寸组合，X1指代介质材料为C0G/NP0类，C为额定电压等级（50V），222表示电容值为2200pF（即2.2nF），M为电容容差±20%，H为端接方式（如镍阻挡层），L可能表示卷带包装形式。该器件在设计上优化了直流偏压特性、温度稳定性和老化率，能够在宽温度范围内保持稳定的电容值输出，适用于对稳定性要求较高的模拟信号路径和高频电路场景。
电容值：2200pF
容差：±20%
额定电压：50V
温度特性：C0G/NP0
封装尺寸：0805（2012）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
端接方式：Ni/Sn镀层
直流偏压效应：无显著下降
ESR：低
绝缘电阻：≥50GΩ 或 1000秒法则
寿命稳定性：≤±0.1%每十年
UBX1C222MHL采用C0G（也称NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料具有极佳的温度稳定性，在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，确保了频率敏感电路中的高度可靠性。这意味着它非常适合用于振荡器、滤波器、谐振电路以及高精度模拟前端等应用场景，其中电容值的微小漂移都可能导致系统性能下降。C0G介质还表现出几乎为零的老化率，不会像X7R或Y5V等高介电常数材料那样随时间推移而发生明显的电容衰减，从而提升了长期运行的稳定性。
该器件的电容值为2200pF（即2.2nF），容差为±20%，虽然相比精密电容而言容差较宽，但在许多非关键性耦合或旁路应用中仍可接受。结合其50V的额定电压，使其能够适应多种电源轨去耦需求，例如在3.3V、5V甚至部分12V系统中作为高频噪声滤波元件使用。此外，由于C0G材料在直流偏压下几乎不产生电容下降，因此即使施加接近额定电压的直流偏置，其有效电容仍能维持标称值，这一点显著优于高K介质电容（如X5R/X7R），后者在相同条件下可能损失高达50%以上的电容值。
封装形式为标准的0805（英制0805，公制2012），是一种广泛应用的小尺寸表贴封装，兼顾了焊接可靠性与PCB布局灵活性。该封装支持自动化贴片工艺，适合大批量生产。端子采用镍阻挡层加锡镀层结构（Ni/Sn），提供了良好的可焊性和抗迁移能力，有助于防止银离子迁移导致的短路问题，提升潮湿环境下的长期可靠性。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。
在电气性能方面，UBX1C222MHL具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能保持优异的去耦效果，有效抑制开关电源产生的高频噪声。其绝缘电阻极高（通常大于50GΩ或满足1000秒法则），漏电流极小，适用于高阻抗电路和精密测量系统。综合来看，这款电容在稳定性、可靠性和兼容性之间取得了良好平衡，是工程师在设计高性能模拟和数字混合电路时的理想选择之一。
UBX1C222MHL因其出色的温度稳定性和低损耗特性，广泛应用于需要高精度和高稳定性的电子电路中。典型应用包括射频（RF）匹配网络、LC谐振电路、定时电路、晶振负载电容、高保真音频信号耦合、传感器信号调理模块以及精密运算放大器周围的反馈和补偿网络。由于其在全温度范围内电容值几乎不变，特别适合用于各类振荡器电路中作为频率决定元件，避免因温度变化引起频率漂移，从而提高系统时钟精度。此外，在高速数字系统中，该电容可用于局部电源去耦，尤其适用于低噪声电源（LDO）输出端或ADC/DAC参考电压滤波，以减少高频干扰对转换精度的影响。在通信设备、医疗仪器、测试测量仪器、工业控制模块及汽车电子等领域均有广泛应用。其小型化封装也使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。
GRM21BR71H222KA01L
CC0805JRNPO9BN222
CL21A222MJANNNC
RC0805FR-0722N
