时间：2025/6/26 10:45:45
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25N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于需要高效能和快速响应的电子设备。
该型号的MOSFET采用了先进的制造工艺，能够在较低的栅极电压下实现高效的导通性能。其耐压能力较高，能够适应多种工作环境下的电压需求。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：25A
导通电阻：0.04Ω
总功耗：150W
结温范围：-55℃ to 150℃
25N10具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度，使得该器件在高频应用中表现出色。
3. 较宽的工作温度范围，适用于各种工业和消费类场景。
4. 栅极电荷小，驱动更为简便。
5. 良好的热稳定性，确保长时间稳定运行。
25N10被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC转换器和逆变器设计。
3. 各种类型的电机驱动电路。
4. 电池保护和负载切换。
5. 作为高频信号路径中的开关元件。
IRFZ44N
STP30NF10
IXTH28N10L2
