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25MS7100M8X7 发布时间 时间:2025/9/8 22:54:26 查看 阅读:4

25MS7100M8X7 是一款由Micron(美光)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其特定的DRAM产品线。该型号属于异步DRAM类别,具有特定的容量和速度规格,适用于需要高速数据存储和处理的嵌入式系统或电子设备。25MS7100M8X7采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适合空间受限的应用场景。

参数

存储类型: 异步DRAM
  容量: 256K x 8 位(2Mbit)
  电压: 3.3V
  访问时间: 55ns
  封装类型: TSOP
  引脚数: 28
  工作温度范围: 工业级(-40°C 至 +85°C)
  时钟频率: 不适用(异步DRAM)
  数据宽度: 8位
  

特性

25MS7100M8X7 是一款高性能异步DRAM芯片,专为需要稳定存储和高速数据访问的应用而设计。其2Mbit的存储容量和55ns的访问时间,使其在需要中等存储容量的嵌入式系统中表现出色。该芯片的工作电压为3.3V,确保了低功耗操作,同时降低了发热问题,适用于各种环境条件。其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省,适合在高密度电路板设计中使用。
  此外,该芯片具有广泛的温度适应性(-40°C 至 +85°C),确保在工业级环境中稳定运行。由于其异步特性,25MS7100M8X7 无需依赖外部时钟信号,从而简化了与主控系统的接口设计,提高了系统兼容性。这种设计也降低了整体系统的复杂性和成本,使得它成为许多嵌入式系统、消费类电子产品以及工业控制设备的理想选择。

应用

25MS7100M8X7 被广泛应用于需要中等容量高速存储的电子设备,如工业控制系统、网络设备、通信设备、医疗设备、消费类电子产品(例如数字电视、机顶盒等)。由于其低功耗、高速访问和工业级温度适应性,该芯片在多种环境下都能提供稳定可靠的性能表现,适合用于缓存、帧缓冲、数据临时存储等场景。

替代型号

IS61LV256AL-55BLLI-S7

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