1N5931B是一种常见的硅材料齐纳二极管,广泛应用于电路中的稳压、基准电压源和过压保护等功能。该器件以其稳定的反向击穿电压和较低的动态阻抗著称,能够在较宽的电流范围内提供精确的电压调节。
它属于1N59xx系列齐纳二极管,具有较高的稳定性和可靠性,在工业和消费电子领域得到了广泛应用。
型号:1N5931B
类型:齐纳二极管
材料:硅(Si)
额定功率耗散:1.3W
齐纳电压(Vz):27V
测试电流(Izt):80mA
动态阻抗(Zzt):最大12Ω
最大工作电压(Vrwm):36V
最大正向整流电流(Io):200mA
结电容(Cj):约4pF(典型值)
封装形式:DO-41或DO-35
1N5931B具备高精度的齐纳电压,适合用作精密电压参考源。
其动态阻抗较低,可确保在不同负载条件下保持稳定的输出电压。
由于采用了硅材料,该器件具有良好的热稳定性和较长的使用寿命。
此外,它能够在较宽的温度范围内(-55°C至+150°C)正常工作,适应各种严苛环境条件。
同时,1N5931B还支持快速响应时间,适用于高频电路中的瞬态电压抑制。
该器件通常用于电源电路中的稳压模块,提供恒定的输出电压。
作为基准电压源,1N5931B被广泛应用于模拟和数字电路设计中。
它还可用于保护敏感元件免受过电压冲击,在通信设备和工业控制中扮演重要角色。
此外,1N5931B也常见于音频设备、传感器接口以及汽车电子系统等领域。
1N5931
BAV39A
MMSZ5231B