时间：2025/8/9 2:49:30
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25LKB175SU是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效率的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适用于各种功率转换和控制应用。
类型：功率MOSFET
制造商：STMicroelectronics
型号：25LKB175SU
封装类型：TO-220
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C至175°C
漏源击穿电压（BVDSS）：100V
25LKB175SU采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其高电流承载能力和耐高温特性确保了在极端工作条件下的可靠性。
此外，该器件的封装采用TO-220标准封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的应用场景。它的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的电源管理系统中灵活使用。
该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，从而进一步提高系统整体效率。同时，其耐用性和稳定性使其在汽车电子、工业控制、电源供应器和电机驱动等高要求环境中表现出色。
25LKB175SU广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于汽车电子系统（如车载充电器和电机驱动）、工业电源系统、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种类型的功率管理模块。由于其高可靠性和优异的性能表现，该器件在需要高效率和高稳定性的电源管理应用中非常受欢迎。
STP25NM60ND, IRFZ44N, FDPF8N60
