时间：2025/12/26 21:09:40
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25CTQ035STRRPBF是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基二极管阵列中的单个肖特基势垒整流器，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用TO-277封装（也称为D-Pak），具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特性，使其在开关电源、DC-DC转换器、逆变器和续流二极管等应用中表现出色。25CTQ035STRRPBF的命名中，“25C”表示双元件配置（但在此型号中可能为系列标识），“TQ”代表肖特基技术，“035”表示额定电流为35A，“S”表示单二极管或特定配置，“T”表示卷带包装，“RR”可能表示环保与符合RoHS标准，“PbF”即“Lead Free”，表明其为无铅器件。该器件特别适用于注重能效和热管理的现代电力电子系统。由于其低功耗特性，有助于减少散热需求，从而缩小整体电源模块的体积。此外，该器件的工作结温范围通常可达-55°C至+150°C，适合在严苛环境下稳定运行。25CTQ035STRRPBF广泛应用于工业电源、电信设备、服务器电源和可再生能源系统如太阳能逆变器中。
器件类型：肖特基势垒二极管
配置：单整流器
最大平均整流电流：25A
峰值重复反向电压：35V
最大正向电压：0.54V @ 25A, 125°C
最大反向漏电流：1.0mA @ 35V, 125°C
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装/外壳：TO-277（D-Pak）
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：3
热阻结到外壳：1.5°C/W
热阻结到环境：40°C/W
反向恢复时间：典型值 < 5ns
是否符合RoHS：是
是否无铅：是
25CTQ035STRRPBF的核心优势在于其低正向电压降（VF）特性，在25A电流下仅为0.54V（典型值），这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。尤其在大电流应用场景中，这种低VF特性能够有效减少功率耗散，降低温升，从而提升系统的可靠性和寿命。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结实现整流功能，避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr < 5ns）。这一特性使其非常适合用于高频开关电源拓扑结构，如同步整流、有源钳位反激式转换器和LLC谐振变换器中作为输出整流器，有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
该器件的TO-277封装不仅支持表面贴装工艺，提高生产自动化程度，还具备良好的热传导性能，通过底部散热片可将热量高效传递至PCB地层或散热器，进一步增强热管理能力。其低热阻结到外壳（RθJC = 1.5°C/W）确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。此外，25CTQ035STRRPBF具有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C），可在极端高低温环境中稳定工作，适用于工业级和部分汽车级应用场景。该器件符合RoHS指令和无铅要求，满足现代电子产品对环保和可持续发展的严格标准。在可靠性方面，器件经过严格的高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环测试，确保长期运行的稳定性。其低漏电流特性（最大1.0mA @ 35V, 125°C）也有助于减少待机功耗，提升轻载效率。
25CTQ035STRRPBF广泛应用于需要高效能、高频率整流的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在大电流输出的AC-DC和DC-DC电源模块中，用作输出整流二极管以替代传统快恢复二极管，从而显著提升转换效率并降低温升。该器件也常用于服务器电源、电信整流器、工业控制电源和嵌入式电源系统中。在DC-DC降压或升压转换器中，25CTQ035STRRPBF可用作续流二极管（Freewheeling Diode）或防反接保护元件，提供快速响应和低损耗路径。此外，在太阳能光伏逆变器、UPS不间断电源和电动汽车充电模块中，该器件可用于电池充放电回路或辅助电源整流环节。其表面贴装封装形式适合自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局，特别适合空间受限但功率密度要求高的应用场景。在电机驱动器和逆变器电路中，也可作为箝位二极管使用，吸收感性负载产生的反电动势，保护主开关器件（如MOSFET或IGBT）。由于其优异的热性能和可靠性，25CTQ035STRRPBF也被用于车载信息娱乐系统电源和部分汽车辅助电源系统中，尽管其主要定位仍为工业级应用。
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