时间：2025/12/28 13:02:40
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NPT35050AB 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效率和高可靠性的开关应用，具备低导通电阻、高耐压能力和较强的电流承载能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：10A（连续）
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（最大）
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AB
NPT35050AB 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在高压开关应用中具有出色的效率表现。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具备良好的热稳定性和长期可靠性。
此外，NPT35050AB 设计用于在高温环境下稳定工作，其封装形式（TO-220AB）有助于有效散热，延长器件使用寿命。由于其具备高栅极绝缘能力（±30V），可以与多种驱动电路兼容，简化了驱动设计。
该器件还具备低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其短路耐受能力较强，适用于需要高可靠性的工业和电源应用。NPT35050AB 还具有良好的抗雪崩击穿能力，适用于高能脉冲应用。
NPT35050AB 常用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、照明系统（如LED驱动）、工业自动化控制电路以及家用电器中的功率控制部分。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高压和高效率要求的应用场景。
FQA10N50C, STP10NM50N, IRFGB40N40D, 2SK2142
