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251R15S8R2CV4E 发布时间 时间:2025/7/4 0:51:58 查看 阅读:6

251R15S8R2CV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在满足现代电力电子设备对高效能和紧凑设计的需求。

参数

型号:251R15S8R2CV4E
  类型:N沟道 MOSFET
  额定电压(Vds):150 V
  额定电流(Id):80 A
  导通电阻(Rds(on)):2.5 mΩ
  栅极电荷(Qg):95 nC
  输入电容(Ciss):4500 pF
  最大功耗:300 W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

251R15S8R2CV4E 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(2.5 mΩ),可以有效减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流(80A)和电压(150V),适用于大功率应用场合。
  3. 快速开关能力,有助于降低开关损耗,并支持高频操作。
  4. 优化的热性能设计,确保在高负载条件下保持稳定运行。
  5. 支持宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种严苛环境。
  6. 高可靠性和长寿命,适合工业级和汽车级应用需求。

应用

251R15S8R2CV4E 的典型应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
  2. 电动车辆(EV/HEV)中的电机驱动和逆变器控制。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
  5. 各类需要高效功率管理的场景,例如 UPS 系统和 LED 驱动电路。

替代型号

251R15S8R2CV4D, IRF840, FDP017N15A

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251R15S8R2CV4E参数

  • 产品培训模块RF Capacitor Modeling Software
  • 特色产品Multi-Layer High-Q SMD Capacitors
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列S
  • 电容8.2pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.046"(1.17mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称712-1375-6