时间：2025/7/4 0:51:58
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251R15S8R2CV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计旨在满足现代电力电子设备对高效能和紧凑设计的需求。
型号：251R15S8R2CV4E
类型：N沟道 MOSFET
额定电压（Vds）：150 V
额定电流（Id）：80 A
导通电阻（Rds(on)）：2.5 mΩ
栅极电荷（Qg）：95 nC
输入电容（Ciss）：4500 pF
最大功耗：300 W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
251R15S8R2CV4E 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（2.5 mΩ），可以有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流（80A）和电压（150V），适用于大功率应用场合。
3. 快速开关能力，有助于降低开关损耗，并支持高频操作。
4. 优化的热性能设计，确保在高负载条件下保持稳定运行。
5. 支持宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种严苛环境。
6. 高可靠性和长寿命，适合工业级和汽车级应用需求。
251R15S8R2CV4E 的典型应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和工业电源。
2. 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动和逆变器控制。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
5. 各类需要高效功率管理的场景，例如 UPS 系统和 LED 驱动电路。
251R15S8R2CV4D, IRF840, FDP017N15A
