时间：2025/6/5 14:01:18
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251R15S4R3DV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统性能。
这款芯片通常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动以及各类开关电源等场景，其卓越的热特性和稳定性使其在高负载条件下依然保持优异表现。
型号：251R15S4R3DV4E
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总栅极电荷（Qg）：35nC
开关频率范围：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
251R15S4R3DV4E 具备以下突出特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，适合高频操作环境。
3. 高度可靠的热设计，能够在极端温度范围内稳定运行。
4. 内置静电防护功能，增强产品耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 提供出色的抗雪崩能力，适用于严苛的工作条件。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
3. 新能源汽车电子系统的电池管理系统（BMS）。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. LED 照明驱动电源模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
251R15S4R3DVC4E, IRF540N, FDP5500NL
