时间：2025/7/10 13:02:03
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251R14S4R3BV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合在高频开关条件下使用。
该型号的具体命名规则可能涉及制造商内部标准，通常包含对芯片的关键参数（如电压等级、电流能力、封装类型等）的描述。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
251R14S4R3BV4T 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小外部元件尺寸。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常情况下具有更高的可靠性。
4. 优化的热性能设计，能够有效散热，延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
此外，该器件还具备良好的静电防护能力和抗噪声干扰性能，适用于多种复杂环境下的应用需求。
251R14S4R3BV4T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器中的主开关管。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换模块。
4. 太阳能逆变器中的功率转换级。
5. LED 照明驱动电路以及其他需要高效功率管理的应用场景。
251R14S4R3BV4P, IRFZ44N, FDP18N60
