您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 251R14S3R3DV4T

251R14S3R3DV4T 发布时间 时间:2025/7/2 11:17:21 查看 阅读:7

251R14S3R3DV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该型号中的各个字母和数字组合代表了不同的产品特性参数,如封装形式、电压等级、电流容量等,适合在高功率密度的应用场景中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:140A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

251R14S3R3DV4T 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (1.4mΩ),可有效降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频应用场景。
  3. 强大的过流能力 (最高支持 140A 持续电流),适用于大功率系统。
  4. 内置保护功能,如过热关断和过流保护,提升了器件的可靠性和安全性。
  5. 工作温度范围宽 (-55℃ 至 +175℃),适应各种极端环境条件。
  6. 小型化设计,便于 PCB 布局优化,提高功率密度。

应用

251R14S3R3DV4T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 电机驱动控制,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
  3. 高效 DC-DC 转换器,例如降压或升压转换电路。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子系统。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率开关组件。

替代型号

251R14S3R3DQ4T, 251R14S3R3DP4T

251R14S3R3DV4T参数

  • 产品培训模块RF Capacitor Modeling Software
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列S
  • 电容3.3pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±0.5pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.89mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-