时间：2025/7/2 11:17:21
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251R14S3R3DV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该型号中的各个字母和数字组合代表了不同的产品特性参数，如封装形式、电压等级、电流容量等，适合在高功率密度的应用场景中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：140A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
251R14S3R3DV4T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (1.4mΩ)，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用场景。
3. 强大的过流能力 (最高支持 140A 持续电流)，适用于大功率系统。
4. 内置保护功能，如过热关断和过流保护，提升了器件的可靠性和安全性。
5. 工作温度范围宽 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种极端环境条件。
6. 小型化设计，便于 PCB 布局优化，提高功率密度。
251R14S3R3DV4T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 高效 DC-DC 转换器，例如降压或升压转换电路。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率开关组件。
251R14S3R3DQ4T, 251R14S3R3DP4T
