时间：2025/8/25 1:10:43
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FDP22N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，具有高电压和高电流能力，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种功率电子设备中。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和导通特性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极连续电流(Id)：22A（在25℃）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
导通电阻(Rds(on))：0.24Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：160W
封装类型：TO-220
FDP22N50具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中具备更低的导通损耗，从而提高整体效率。
该器件具备较高的击穿电压（500V），能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种高电压开关电路。
其TO-220封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性与可靠性。
此外，FDP22N50采用了先进的平面条形技术，提供优越的开关特性和热稳定性，适用于各种工业和消费类电源系统。
内置快速恢复二极管，有助于减少开关损耗并提高响应速度，使其在高频开关应用中表现优异。
FDP22N50广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、照明镇流器、电池充电器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制设备等。
该器件特别适合需要高电压和中等电流处理能力的电源设计，如AC-DC电源适配器、功率因数校正（PFC）电路、功率负载开关等。
由于其出色的热性能和高可靠性，FDP22N50也被广泛用于汽车电子、智能家电以及工业电机控制领域。
FQP22N50, IRF22N50, FDPF22N50, STP22N50
