时间：2025/4/25 16:02:51
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251R14S160KV4T是一种高电压、低阻抗的功率MOSFET芯片，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有优异的导通电阻特性以及快速开关性能，能够有效降低系统能耗并提升效率。
型号：251R14S160KV4T
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：251mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：378W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
251R14S160KV4T采用了先进的半导体工艺技术制造，具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：其1600V的额定漏源电压使其适用于高压环境下的应用，例如工业电源和新能源领域。
2. 低导通电阻：251mΩ的导通电阻有助于减少导通损耗，从而提高整体系统效率。
3. 快速开关性能：优化的栅极电荷设计使得该器件具有较快的开关速度，适合高频应用场合。
4. 强大的散热能力：采用TO-247封装形式，能够有效散发热量，确保长期稳定运行。
5. 宽温度范围：能够在极端温度条件下正常工作，满足严苛的工作环境要求。
该MOSFET芯片可广泛应用于以下领域：
1. 高频开关电源及逆变器：
- 在开关电源中用作主开关管或同步整流管，提供高效的能量转换。
2. DC-DC转换器：
- 用于降压或升压电路，提供稳定的输出电压。
3. 电机驱动：
- 控制直流无刷电机或步进电机的启停与调速。
4. 光伏逆变器：
- 实现太阳能电池板发电后的电力变换功能。
5. 工业自动化设备：
- 如PLC控制器中的功率输出级组件。
IXFR14N160P4, IRFP260N
