型号：250S130DR
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　封装类型：TO-247AC
　　最大重复反向电压（VRRM）：130V
　　最大直流阻断电压（VR）：130V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：250A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：3000A
　　最大正向压降（VF）：1.75V @ 250A, Tc=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：20mA @ 130V, TJ=150°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：0.15°C/W
　　安装孔径：3.2 mm
　　极性：阴极标记带
　　引脚数：3

250S130DR的核心优势在于其卓越的电学性能与出色的热管理能力。该器件基于先进的平面技术制造，采用多个并联的肖特基势垒结构，有效降低了单位面积上的电流密度，从而提升了器件的可靠性和寿命。其最大正向压降仅为1.75V，在250A的大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，显著优于传统快恢复二极管或标准硅整流器。这一特性对于提升电源系统的转换效率至关重要，尤其是在高负载持续运行的应用场景中，能够大幅减少发热，降低对冷却系统的要求。
　　该器件的反向漏电流控制良好，在高温环境下（TJ=150°C）最大漏电流为20mA，表明其具有较高的热稳定性。尽管肖特基二极管通常存在比PN结二极管更高的漏电流，但250S130DR通过优化金属-半导体接触界面和掺杂分布，有效抑制了热激发载流子的产生，从而在高温下仍能维持可接受的漏电水平。此外，该器件不具备少数载流子存储效应，因此没有反向恢复时间（trr），在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰（EMI），特别适用于高频DC-DC变换器、有源钳位电路和同步整流拓扑。
　　从封装角度看，TO-247AC是一种广泛使用的高功率封装形式，具备优良的热传导路径和机械强度。250S130DR的热阻RθJC仅为0.15°C/W，意味着每瓦功耗仅使结温升高0.15°C（相对于壳温），这使得即使在250A连续工作电流下，只要外壳温度得到有效控制，结温也能保持在安全范围内。为了充分发挥其性能，建议在实际应用中使用导热硅脂和足够面积的散热器，并确保安装螺钉扭矩符合规范，避免因接触不良导致局部过热。
　　该器件还具备较强的浪涌电流承受能力，峰值非重复浪涌电流可达3000A，可在短时过载或启动冲击条件下提供保护，适用于焊接设备、电机驱动等瞬态电流较大的场合。同时，其宽泛的工作结温范围（-65°C至+150°C）使其能够在极端环境温度下稳定运行，增强了系统适应性。

250S130DR因其高电流、高电压和高效率的特性，被广泛应用于多种工业级和能源类电力电子系统中。典型应用场景包括大功率开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信电源模块和数据中心供电系统中，作为输出整流级的关键元件，用于将高频交流电转换为稳定的直流电。在这些应用中，低正向压降直接转化为更高的能效，有助于满足日益严格的能源之星和80 PLUS认证要求。
　　在不间断电源（UPS）系统中，250S130DR常用于逆变器输出整流或电池充电电路，承担大电流充放电任务。其快速响应特性和无反向恢复特性可有效减少换流过程中的能量损耗和电压尖峰，提高系统动态响应速度和可靠性。此外，在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧防反二极管或MPPT（最大功率点跟踪）电路中的旁路保护，防止热斑效应导致组件损坏。
　　在电焊机、电镀电源和感应加热等大电流工业设备中，250S130DR作为主整流桥的一部分，负责将交流输入转换为平滑直流输出。这类设备通常要求长时间满负荷运行，因此对二极管的热稳定性和电流承载能力要求极高，而250S130DR恰好满足这些需求。
　　此外，它也可用于电动汽车充电桩、储能系统和铁路牵引变流器中的辅助电源或保护电路。在这些高可靠性要求的领域，250S130DR的长寿命和高鲁棒性使其成为工程师优选方案之一。

VS-250SQ130N
　　IXYS IXDH250-13
　　STMicroelectronics STPR250-13