时间：2023/6/21 16:24:17
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23LCV1024-I/SN是一款1MbSPI串行串行内存，具有备用电池和SDI接口。存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线进行访问。所需的总线信号是时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。对设备的访问通过芯片选择(CS)输入进行控制。此外，如果应用需要更快的数据速率，则支持SDI(串行双接口)。SRAM可以通过Vbat引脚进行电池备份，基本上使SRAM非易失性。该器件还支持对阵列的无限读取和写入周期。
 产品型号 | 23LCV1024-I/SN |
| 制造商 | 微芯科技 |
| 分类 | 集成电路(IC)，记忆力 |
| 描述 | IC 静态存储器 1MB 螺旋/双通道 I/O 8SOIC |
| 打包 | 管 |
| 工作温度 | -40°C~85°C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装/箱 | 8-SOIC（0.154“，3.90mm宽） |
| 供应商设备包 | 8-固态 |
| 基本产品编号 | 23LCV1024 |
23LCV1024-I/SN
| 产品状态 | 在售 |
| 内存类型 | 挥发性的 |
| 内存格式 | 静态内存 |
| 科技 | 静态内存-同步 |
| 内存大小 | 1Mb（128Kx8） |
| 内存接口 | SPI-双输入/输出 |
| 时钟频率 | 20兆赫 |
| 电压-电源 | 2.5V~5.5V |
| 案例/包装 | 断续器 |
| 引脚数 | 8 |
| 访问时间 | 25纳秒 |
| 地址总线宽度 | 24字节 |
| 密度 | 1毫巴 |
| 频率 | 20兆赫 |
| 接口 | 断续器 |
| 最大频率 | 20兆赫 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最大电源电压 | 5.5V |
| 内存大小 | 128千字节 |
| 内存类型 | 非易失性、内存、静态存储器 |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 最小电源电压 | 2.5V |
| 标称电源电流 | 10毫安 |
| 端口数 | 1 |
| 同步/异步 | 同步 |
| 字大小 | 8字节 |
| 高度 | 1.25毫米 |
| 长度 | 4.9毫米 |
| 宽度 | 3.9毫米 |
| 属性 | 描述 |
| 无铅 | 无铅 |
| 辐射硬化 | 否 |
| REACH SVHC | 无SVHC |
SPI兼容型总线接口-20MHz时钟速率，SPI/SDI模式
低功耗CMOS技术
3mA@3.6V，20MHz读取电流
4μA@+85°C最大待机电流
无限制读写周期
零写入时间
32字节页面
通过Vbat引脚支持电池备份SRAM，自动切换到Vbat
顺序模式读写
高可靠性
通信与网络
23LCV1024-I/SN符号
23LCV1024-I/SN焊垫
23LCV1024-I/SN 3D模型
23LCV1024-I/SN封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| 23LCV1024-I/P | 微芯科技 | RAM芯片 | 芯片,存储器,SRAM,串行口,1MB,2.5-5.5V,8PDIP |
| 23LC1024T-I/SN | 微芯科技 | 存储芯片 | SRAM,1Mbit,128Kx8位,2.5V至5.5V,SOIC,8引脚 |
| 23LCV1024T-I/SN | 微芯科技 | 存储芯片 | 3.3V/5V 1M-Bit 128K x 8 25ns 8Pin SOIC N T/R |
