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23K640T-E/SN 发布时间 时间:2025/12/24 18:12:04 查看 阅读:28

23K640T-E/SN 是 Microchip Technology(微芯科技)生产的一款串行静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有64K位的存储容量。该芯片采用SPI(串行外设接口)进行通信,适用于需要高速数据访问和低功耗的嵌入式系统和工业应用。该芯片采用8引脚SOIC封装,适合表面贴装工艺。

参数

容量:64K位
  接口类型:SPI
  电压范围:2.7V 至 5.5V
  最大时钟频率:20MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚SOIC
  数据保持电流(典型值):100nA(在3.3V下)
  写入保护功能:支持写入保护

特性

23K640T-E/SN 是一款高性能的串行SRAM芯片,具有多项优良特性。首先,其SPI接口使得芯片与微控制器的连接更加简便,数据传输速率高,最大时钟频率可达20MHz,满足大多数嵌入式系统的高速通信需求。该芯片的工作电压范围为2.7V至5.5V,使其能够兼容多种电源系统,提高了设计的灵活性。
  该芯片的存储容量为64K位,适用于需要较大存储空间的场合,例如缓存数据存储、临时变量存储等。此外,23K640T-E/SN 具有低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低(典型值为100nA),非常适合电池供电设备和低功耗应用场景。
  为了保护数据的安全性,该芯片内置写入保护功能,可以防止意外的数据写入或覆盖。这一特性在工业控制系统和关键数据存储应用中尤为重要,确保数据不会因错误操作或系统异常而丢失或损坏。
  该芯片的封装形式为8引脚SOIC,符合工业标准,易于在PCB上进行布局和焊接,适用于自动化生产和表面贴装工艺。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应工业级环境要求,确保在各种温度条件下稳定运行。

应用

23K640T-E/SN 广泛应用于需要高速、低功耗和可靠数据存储的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、自动化系统、数据采集装置、智能传感器、消费类电子产品中的临时数据缓存等。此外,该芯片也适用于需要频繁读写操作的场景,如日志记录、缓冲存储和实时数据处理等。
  由于其SPI接口的通用性和高速特性,23K640T-E/SN 可以方便地集成到基于微控制器的系统中,作为外部存储器扩展。例如,在物联网(IoT)设备中,该芯片可用于存储传感器数据或临时通信缓冲区。在通信模块中,它可用于缓存传输或接收的数据包,提高系统效率。
  在医疗设备、安防系统和测试测量仪器中,23K640T-E/SN 的高可靠性和宽温度范围使其成为理想的存储解决方案。此外,在汽车电子系统中,该芯片可用于存储配置数据、状态信息或诊断日志,提高系统的稳定性和可维护性。

替代型号

23LC1024-I/SN, 23K256T-E/SN, 23A6402T-E/SN

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23K640T-E/SN参数

  • 制造商Microchip
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量64 Kbit
  • 访问时间32 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.7 V
  • 最大工作电流10 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Reel
  • 最大时钟频率20 MHz
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量3300
  • 类型Synchronous