电容值：470000pF (470nF)
　　容差：Z（+80%/-20%）
　　电压：16V
　　介质材料：Y5V
　　封装形式：贴片（SMD）
　　温度系数：+22%/-82%
　　工作温度范围：-30°C至+85°C

21Y5V474Z16AT具有多种特性，使其在电子电路中表现出色。首先，该电容器采用Y5V介质材料，能够在较宽的温度范围内提供稳定的电容性能。虽然Y5V材料的温度稳定性不如C0G/NPO材料，但其较高的电容值使其在许多应用中具有优势。此外，该电容器的容差为Z级，意味着其实际电容值可以在+80%至-20%的范围内波动，这种特性适用于对电容精度要求不高的场合。
　　该电容器的额定电压为16V，能够满足大多数低压电路的设计需求。在实际应用中，21Y5V474Z16AT可以在16V的工作电压下保持稳定性能，确保电路的正常运行。由于其较高的电容值和适中的电压额定值，这款电容器常用于电源去耦、滤波和旁路应用。
　　21Y5V474Z16AT采用贴片（SMD）封装形式，便于自动化生产和表面贴装技术（SMT）的应用。这种封装形式不仅节省空间，还能提高电路板的组装效率。此外，该电容器具有良好的机械强度和热稳定性，能够在各种环境条件下可靠工作。

21Y5V474Z16AT广泛应用于消费电子、工业设备、通信设备和汽车电子等领域。在消费电子产品中，该电容器常用于电源管理电路和信号处理电路，以提供稳定的电容性能。在工业设备中，21Y5V474Z16AT可用于滤波和去耦应用，确保设备的稳定运行。在通信设备中，该电容器可以用于射频电路和电源模块，提供良好的电容支持。此外，在汽车电子系统中，21Y5V474Z16AT可用于车载电源系统和控制模块，确保车辆电子系统的可靠工作。

21Y5V474Z16AT的替代型号包括TDK的C3216Y5V1H474Z、Murata的GRM32Y5V1H474KW01L和Kemet的C1210Y5V1H474K。这些替代型号在电容值、电压额定值和封装形式方面与21Y5V474Z16AT相似，可以作为替代选择。