型号：21DQ04
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-23
　　二极管配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5A（8.3ms单半正弦波）
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值0.37V（在IF=10mA时），最大值0.55V（在IF=200mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在VR=40V，TA=25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约450°C/W（PCB板上）
　　引脚数量：3
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、无铅、无卤素

21DQ04的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降（VF），从而减少功率损耗并提高系统效率。在低电压、大电流的应用环境下，这一特性尤为重要，例如在电池供电设备中可有效延长续航时间。其典型的正向压降仅为0.37V（在10mA条件下），即使在200mA满载情况下也控制在0.55V以内，远低于普通硅二极管的0.7V水平。
　　该器件具备出色的开关速度，反向恢复时间极短（通常小于几纳秒），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此非常适合高频整流应用，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器和同步整流辅助电路。由于没有少数载流子存储效应，21DQ04在高频切换过程中不会产生明显的反向恢复尖峰电流，有助于降低电磁干扰（EMI）和开关损耗。
　　双共阴极结构使得两个二极管可以并联使用以提高电流能力，或分别用于不同的信号路径进行电压钳位与静电放电（ESD）保护。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，在合理布局的PCB上可通过铜箔散热来提升功率承受能力。尽管其最大平均整流电流为200mA，但在脉冲工作模式下仍能可靠运行。
　　21DQ04的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端高低温环境中依然保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子外围电路及通信模块等对可靠性要求较高的领域。同时，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，保证长期使用的稳定性与一致性。

21DQ04常用于多种电子系统的电源管理单元中，尤其是在需要高效、紧凑型整流解决方案的设计中发挥关键作用。典型应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电池充电回路和电源路径管理，作为防止电源反接的保护元件；在DC-DC升压或降压转换器中用作续流二极管或输出整流二极管，利用其低VF特性提升整体转换效率；在USB接口、I/O端口和传感器信号线中实现瞬态电压抑制和ESD防护，保障敏感IC免受过压冲击。
　　在微控制器单元（MCU）、FPGA和DSP等数字逻辑电路的供电网络中，21DQ04可用于构建OR-ing电源冗余结构，允许多个电源输入互为备份，自动选择电压较高的电源进行供电，增强系统可用性。此外，它也广泛应用于AC适配器次级侧整流、LED驱动电路、音频信号检波电路以及模拟开关中的电平位移电路。
　　由于其小型化封装和高性能参数，21DQ04特别适合高密度印刷电路板（PCB）设计，如智能手机主板、无线耳机充电盒、智能手表模块和物联网（IoT）节点设备。在汽车电子中，虽然不直接用于主动力系统，但可在车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和车内传感器接口中作为辅助整流和保护元件使用。此外，在电源适配器、充电器、机顶盒、路由器等消费类电源产品中也有广泛应用。

BAT54C
　　MBRS220LT3G
　　RB520S30T1G