类型：光耦合器
　　输入侧电流：5 mA（典型值）
　　输出侧电压：30 V（最大值）
　　隔离电压：5000 Vrms（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　封装形式：6引脚DIP
　　响应时间：3 μs（典型值）

EL817(D)-F/EL817D 的主要特性包括高隔离电压能力，确保输入和输出之间的电气安全性；其光耦合结构设计能够有效减少电磁干扰（EMI）和地回路干扰，提高系统的稳定性和可靠性。该器件的响应时间较短，适合用于需要快速信号传输的应用场景。EL817(D)-F/EL817D 还具有较低的输入驱动电流需求，使得其能够与多种数字和模拟电路兼容。
　　在制造工艺上，EL817(D)-F/EL817D 采用高可靠性的封装技术，确保其在恶劣环境下的稳定工作。其LED部分通常使用砷化镓（GaAs）材料，具有良好的发光效率和长寿命；而光敏晶体管部分则采用硅材料，具备较高的灵敏度和线性度。这些材料的结合使EL817(D)-F/EL817D 能够在广泛的温度范围内保持稳定的性能。
　　此外，EL817(D)-F/EL817D 具有较高的抗干扰能力和长期稳定性，适用于各种工业自动化设备、电机控制电路、电源管理系统等应用场景。由于其电气隔离能力较强，能够有效防止高压侧的故障影响低压侧的电路，从而保护系统的安全运行。

EL817(D)-F/EL817D 主要用于需要电气隔离的场合，例如工业自动化控制系统、变频器、伺服驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）、电源适配器、电池管理系统（BMS）、电表和智能电网设备等。它也常用于信号隔离电路中，以保护主控电路免受外部高压或噪声干扰。

PC817, LTV-817, TLP521