时间：2025/7/29 20:43:30
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21CH100D50AT是一款高压陶瓷电容器，主要用于电子电路中以提供稳定的电容性能。该电容器采用陶瓷介质，具有较高的介电强度和较低的介质损耗，适用于要求高可靠性和稳定性的电子设备。这款电容器的额定电压为50V，电容值为10pF，容差为±0.5pF，属于C0G（NP0）温度系数类型，适用于高精度电路中的滤波、耦合和旁路应用。
电容值：10pF
容差：±0.5pF
额定电压：50V
温度系数：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：陶瓷
封装形式：表面贴装（SMD）
尺寸：21CH系列标准尺寸
21CH100D50AT陶瓷电容器具有优异的电气性能和稳定性，能够在广泛的温度范围内保持电容值的恒定。由于采用了C0G（NP0）介质材料，其温度系数接近于零，意味着电容值在温度变化时几乎不会发生变化。这种电容器还具有极低的损耗角正切（tanδ），使其在高频应用中表现出色，能够有效减少信号损失。此外，该电容器具有良好的耐压能力和长期稳定性，适合在恶劣环境中使用。其表面贴装封装形式便于自动化生产，提高了电路板的组装效率和可靠性。
21CH100D50AT陶瓷电容器广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高稳定性和低损耗的电路中。例如，在射频（RF）电路中，它可用于滤波和阻抗匹配；在精密模拟电路中，它可用于耦合和去耦；在数字电路中，它可用于旁路和噪声抑制。此外，该电容器还适用于汽车电子系统、工业控制设备、医疗仪器以及通信设备等高要求的应用场景。
101K50C0G500CT; CC0805KRX7R4BB103
