215H42BLA21FG 时间：2025/4/29 11:19:36 阅读：2

215H42BLA21FG是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而降低能量损耗并提高系统效率。
　　这款MOSFET适用于多种工业和消费类电子产品，例如适配器、充电器、LED照明驱动以及家用电器等。其封装形式和电气特性经过优化，以适应紧凑型设计的需求，同时保证了出色的散热性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻：1.3mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　工作温度范围：-55℃ to 175℃
　　封装形式：TO-247

特性

215H42BLA21FG具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可显著减少功耗。
　　2. 快速开关速度，减少了开关损耗，并支持高频操作。
　　3. 高电流承载能力，适合需要大功率输出的应用场景。
　　4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的工作状态。
　　5. 强大的抗静电能力（ESD防护），提高了产品的可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

该功率MOSFET广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换。
　　4. 新能源汽车内的电池管理系统（BMS）。
　　5. LED照明驱动电路。
　　6. 充电器和适配器等便携式电子设备的电源管理部分。