时间：2025/6/22 12:17:20
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20TDC100MYF 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power NMOS）。它主要用于高效率开关应用和负载驱动场景，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种工业及消费电子领域。
该器件采用了 TO-252 封装形式，具有较高的电流承载能力和耐热性能，同时其出色的电气特性使得其在功率转换、电机驱动以及电源管理等应用中表现出色。
型号：20TDC100MYF
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：100V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：18mΩ
ID（持续漏极电流）：20A
Qg（栅极电荷）：47nC
EAS（雪崩能量）：390mJ
f（工作频率范围）：高达 500kHz
封装：TO-252
20TDC100MYF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，确保了较低的传导损耗，并提升了整体系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频应用场景，如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 内置反向恢复二极管，进一步降低开关噪声并提高可靠性。
4. 出色的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性经过严格测试，支持长期稳定工作。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器设计。
2. 各类电机驱动控制，例如步进电机和无刷直流电机。
3. LED 照明系统的驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理和功率调节功能。
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
20TDC100M, IRLZ44N, FDN337AN
