时间：2025/6/22 5:54:17
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20SVPF120M 是一款高压、高功率的 N 沟道垂直功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能，能够满足高效能电力电子系统的需求。
其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适用于大功率应用场景。
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：20A
最大脉冲漏极电流：80A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：95nC
输入电容：2200pF
总耗散功率（Tc=25℃）：360W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
20SVPF120M 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：支持高达 1200V 的漏源电压，确保在高压环境下的可靠运行。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为 3.5Ω，在大电流条件下降低功耗，提升效率。
3. 快速开关速度：得益于优化的栅极电荷设计，开关损耗更低，适合高频应用。
4. 强大的电流承载能力：最大连续漏极电流为 20A，脉冲电流可达 80A，满足高负载需求。
5. 高温稳定性：可在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定工作，适应极端环境条件。
6. 散热性能优越：采用 TO-247 封装，提供高效的散热通道，便于热量管理。
20SVPF120M 主要应用于以下领域：
1. 开关电源：如高频 DC-DC 转换器和逆变器中的功率开关元件。
2. 工业控制：包括伺服驱动器、变频器及各类工业自动化设备。
3. 新能源领域：用于太阳能逆变器、风力发电变流器等可再生能源转换装置。
4. 电动汽车：作为电动车充电模块和驱动系统的功率器件。
5. 大功率电机驱动：实现高效电机控制和调速功能。
6. 脉冲功率系统：适用于需要高能量输出的脉冲功率应用，如放电电路或激光器驱动。
FF20R12W4, IRFP260N
