时间：2025/9/4 0:33:02
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20SP120M 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的功率 MOSFET 模块。该模块专为高功率应用而设计，具有良好的热性能和电气性能，适用于工业控制、电源转换、电动机驱动和不间断电源（UPS）系统等领域。该模块采用先进的封装技术，能够承受较高的电压和电流负载，同时具备较低的导通损耗和开关损耗，有助于提高系统的整体效率。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（Id）：200A
漏源电压（Vds）：1200V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为12mΩ
封装形式：SP120M
工作温度范围：-55°C 至 150°C
最大功耗：根据散热条件不同而变化
栅极电压范围：±20V
短路耐受能力：支持
绝缘耐压等级：符合工业标准
封装材料：绝缘型
20SP120M 模块采用了先进的功率 MOSFET 技术，具备优异的导通和开关性能。其导通电阻低至12mΩ，显著降低了在高电流下的功率损耗，提高了整体系统的能效。此外，该模块具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，并具备较强的短路耐受能力，提升了系统的可靠性。
该模块的封装设计采用高绝缘性能材料，具备良好的电气隔离和机械强度，适用于高压和高电流应用场景。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使得该模块可在各种恶劣环境下稳定运行，满足工业级应用的严苛要求。
此外，20SP120M 还具有快速开关能力，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提高系统的动态响应速度。其栅极驱动电压范围较宽，适应多种驱动电路设计，便于集成到不同的功率电子系统中。
20SP120M 模块广泛应用于高功率电力电子系统，包括工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、电能质量调节设备以及新能源发电系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）。此外，该模块也适用于电动汽车充电设备、储能系统以及智能电网相关设备，满足这些领域对高可靠性和高效率功率转换的需求。
SKM200GB12T4ag, FF200R12KT4
