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20SA100M 发布时间 时间:2025/9/20 22:27:53 查看 阅读:18

20SA100M是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅整流二极管阵列,专为高密度、高性能的电源管理应用而设计。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,内部集成了两个独立的肖特基势垒二极管,连接方式为共阴极配置,即两个二极管的阴极连接在一起并引出作为公共端。这种结构特别适用于需要双通道整流或输出合并的应用场景,例如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、反向电压保护电路以及极性容错输入接口等。
  20SA100M的核心优势在于其低正向导通压降(VF),这得益于其肖特基势垒技术,相比传统的PN结二极管能够显著降低功耗并提升系统效率。此外,该器件具备快速反向恢复特性,几乎无反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关应用中表现出色,可有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。其最大重复峰值反向电压(VRRM)为100V,每条支路的平均整流输出电流(IO)可达1.0A,满足多数中等功率电源设计的需求。
  该器件的工作结温范围为-55°C至+125°C,适用于工业级和汽车级应用环境。SMA封装具有较小的占板面积和良好的热性能,适合自动化贴片生产,广泛应用于消费电子、通信设备、便携式电源适配器和嵌入式控制系统中。20SA100M符合RoHS指令要求,并通过了无卤素认证,体现了环保设计理念。

参数

型号:20SA100M
  制造商:Vishay Semiconductors
  封装类型:SMA(DO-214AC)
  二极管配置:双共阴极(Dual Common Cathode)
  最大重复峰值反向电压 VRRM:100V
  最大直流阻断电压 VR:100V
  最大RMS电压 VRMS:70V
  每条支路最大平均整流输出电流 IO:1.0A
  峰值非重复浪涌电流 IFSM:30A(8.3ms 半正弦波)
  正向压降 VF:0.875V(典型值,IF = 1.0A,TJ = 25°C)
  最大反向漏电流 IR:0.5mA(最大值,VR = 100V,TJ = 25°C)
  工作结温范围 TJ:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围 TSTG:-55°C 至 +150°C
  热阻 RθJA:150°C/W(典型值)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

20SA100M采用先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降与高效的能量转换性能。在1A电流条件下,其典型正向压降仅为0.875V,远低于传统硅PN结二极管的约1.0V~1.2V水平,这意味着在相同负载下产生的导通损耗更低,有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。该特性尤其适用于对能效敏感的应用,如电池供电设备和高密度电源模块。
  由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此其反向恢复时间极短,几乎可以忽略不计。这一特点使得20SA100M在高频开关电路中表现优异,避免了因反向恢复电荷引起的尖峰电流和额外功耗,同时降低了电磁干扰风险,提升了系统的电磁兼容性(EMC)表现。
  器件内部集成两个独立的肖特基二极管并采用共阴极连接方式,简化了PCB布局布线,尤其适用于双路同步整流或冗余电源路径设计。例如,在双绕组变压器输出侧使用该器件,可实现高效、紧凑的全波整流方案。此外,其SMA封装具有良好的机械稳定性和热传导性能,支持自动贴片工艺,适用于大规模生产。
  20SA100M具备较高的浪涌电流承受能力,可耐受高达30A的非重复峰值电流,增强了在瞬态过载或启动冲击条件下的可靠性。其宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境条件下稳定运行,包括高温工业现场和低温户外设备。综合来看,该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡,是现代电源设计中的理想选择之一。

应用

20SA100M广泛应用于各类中低功率电源系统中,尤其是在需要高效整流和紧凑布局的设计中表现出色。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在单端反激(Flyback)和正激(Forward)拓扑结构中,用于将高频交流电压转换为稳定的直流输出。其双共阴极结构非常适合双路输出或多轨电源设计,例如为微处理器核心和I/O电路分别提供不同电压等级的供电系统。
  在DC-DC转换器中,20SA100M常被用作续流二极管或同步整流替代方案中的低成本选项,尤其适用于非隔离型降压(Buck)或升压(Boost)电路。其快速响应能力和低VF特性有助于提升转换效率,延长电池续航时间,因此常见于笔记本电脑适配器、USB-PD充电器、便携式医疗设备和智能家居控制模块中。
  该器件还可用于反向极性保护电路,当电源输入可能接反而需防止损坏后级电路时,利用其单向导电性阻断异常电流路径。此外,在信号整流、电压采样保持电路和钳位保护网络中也有应用价值。由于其符合汽车电子可靠性标准,20SA100M也被用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动和车身控制模块等汽车电子领域。
  得益于其小型化封装和高功率密度特性,20SA100M适用于空间受限的高集成度电子产品,如路由器、机顶盒、安防摄像头和工业传感器节点。其环保合规性也使其满足出口型电子产品对有害物质限制的要求,广泛服务于全球市场。

替代型号

MBRS2100T3G
  VS-1.5KE100A-E3
  BAT54CWS

引用来源

https://www.vishay.com/docs/88846/88846.pdf

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20SA100M参数

  • 电容:100μF
  • 电容容差 ±:± 20%
  • 额定电压:20V
  • 等效串联电阻, ESR:0.03ohm
  • 寿命 @ 温度:2000 小时 @ 105°C
  • 高度:10.5mm
  • 直径:10mm
  • 引脚/端接类型:径向引线
  • 引脚节距:5mm
  • 工作温度范围:-55°C 到 +105°C
  • 外部长度/高度:10.5mm
  • 容差, +:20%
  • 容差, -:20%
  • 封装类型:放射状
  • 工作寿命:2000h
  • 工作温度敏:-55°C
  • 工作温度最高:105°C
  • 引线直径:0.5mm
  • 温度 @ 纹波电流测量:85°C
  • 电容器安装:通孔安装
  • 端子类型:导线
  • 系列:SA
  • 纹波电流 AC:1770mA
  • 针脚数:2
  • 频率 @ ESR测量:100kHz
  • 频率 @ 纹波电流测量:10kHz
  • 额定电压伏:20V