型号：20BQ040TRPBF
　　制造商：ON Semiconductor
　　二极管类型：肖特基势垒二极管，双共阴极
　　最大反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：20A（单个二极管）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：100A
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在10A条件下）
　　最大正向压降（VF max）：0.6V（在10A，Tc=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大3.0mA（在40V，Tc=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W（每个二极管）
　　封装类型：D-Pak（TO-252AA），表面贴装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

20BQ040TRPBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术通过金属-半导体结替代传统的PN结，从而实现了极低的正向导通压降。在大电流工作条件下，例如10A时，其典型正向压降仅为0.52V，最大不超过0.6V，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平。这种低VF特性显著减少了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体转换效率，尤其适用于对能效要求较高的开关电源和DC-DC变换器应用。
　　该器件内部采用双共阴极结构，即两个肖特基二极管共享一个阴极引脚，这种设计特别适合同步整流或全波整流拓扑，例如在中心抽头变压器输出端进行整流时，可简化PCB布局并减少外部连接点。同时，由于其高达20A的平均整流电流能力，单个器件即可支持较大功率输出，减少了并联多个小电流二极管的需求，提高了系统可靠性与设计简洁性。
　　20BQ040TRPBF的快速开关特性使其在高频开关环境下表现优异。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间极短，接近于零。这一特性有效抑制了开关过程中的反向恢复电流尖峰和电磁干扰（EMI），有助于提升系统稳定性并降低滤波元件的成本与体积。
　　该器件封装在D-Pak（TO-252AA）中，具有良好的热传导性能。其结到壳的热阻仅为1.2°C/W，在适当的PCB铜箔散热设计下，能够有效将工作热量传导至电路板，避免局部过热导致性能下降或失效。此外，器件可在-65°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工业与车载环境。综合其电气性能、热性能与封装优势，20BQ040TRPBF是一款高性能、高可靠性的功率整流解决方案。

20BQ040TRPBF广泛应用于多种中高功率电源系统中，尤其是在需要高效能、低损耗整流功能的场景下表现出色。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在笔记本电脑适配器、台式机电源和服务器电源中作为次级侧整流元件使用。其低正向压降特性有助于提升轻载和满载条件下的整体效率，满足能源之星等能效认证要求。
　　在DC-DC转换器中，尤其是低压大电流输出的Buck或Boost拓扑结构中，20BQ040TRPBF常被用作续流二极管或同步整流辅助二极管。其快速开关响应和低VF特性可以显著减少能量损耗，提高转换效率，并降低散热需求，从而实现更紧凑的设计。
　　该器件也适用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中的整流模块，用于将交流电转换为直流电或将直流电逆变为交流电过程中的中间整流环节。其高浪涌电流承受能力（可达100A）使其能够应对启动瞬间或负载突变时的电流冲击，增强系统鲁棒性。
　　在消费类电子产品中，如液晶电视、游戏主机和网络路由器的内置电源模块中，20BQ040TRPBF因其高集成度和高可靠性而被广泛采用。此外，在工业控制系统、电信设备电源单元以及部分汽车电子系统（如车载充电器或DC-DC模块）中也有广泛应用。得益于其符合RoHS和无铅工艺，该器件还适用于出口型产品和环保要求严格的项目。

MBR2045CTG
　　SB2040CT
　　SS2040