209-3SURSYGW/S530-A3 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统的整体性能。
其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高电流、高电压的工作环境。
型号:209-3SURSYGW/S530-A3
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源极耐压):650V
RDS(on)(导通电阻):0.18Ω
ID(连续漏极电流):28A
Qg(栅极电荷):45nC
f(工作频率):最高支持500kHz
封装:TO-220
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
209-3SURSYGW/S530-A3 具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:VDS高达650V,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻:RDS(on)仅为0.18Ω,有效减少传导损耗。
3. 快速开关性能:较低的栅极电荷(45nC),可实现高频操作,满足现代高效电源设计需求。
4. 大电流承载能力:持续电流可达28A,峰值电流更高,适用于大功率应用。
5. 良好的热性能:采用TO-220封装,具有高效的散热结构,确保在高负载下的稳定运行。
6. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+175℃,适应多种极端环境条件。
209-3SURSYGW/S530-A3 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换电路中,作为主功率开关管。
2. 电机驱动:控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 工业逆变器:提供高效的功率转换和稳定的输出。
4. 电池保护电路:实现过流、短路保护等功能。
5. 汽车电子:如电动车窗、座椅调节系统等需要高可靠性的场景。
6. 照明系统:例如LED驱动器中的功率开关元件。
209-3SURSYGW/S530-A2, IRFZ44N, FQP50N06L