203CNQ100 时间：2025/12/26 18:27:25 阅读：10

203CNQ100是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8L封装中，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。203CNQ100的工作电压为100V，最大连续漏极电流可达6.7A，脉冲电流能力更强，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载开关等电路中。其优化的热性能和电气特性使其在工业控制、消费电子和便携式设备中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于采用了先进的封装技术，203CNQ100还具备良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定运行。

参数

型号：203CNQ100
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：6.7 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：27 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10 V）：34 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5 V）：48 mΩ
　　栅极电荷（Qg typ）：11 nC
　　输入电容（Ciss typ）：490 pF
　　开启延迟时间（td(on) typ）：8 ns
　　关断延迟时间（td(off) typ）：18 ns
　　上升时间（tr typ）：8 ns
　　下降时间（tf typ）：5 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

特性

203CNQ100采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，实现了超低的导通电阻与栅极电荷的优异平衡，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了系统整体能效。该器件在VGS = 10V时，RDS(on)典型值低至31mΩ，在VGS = 4.5V时也能保持45mΩ以下，这使其非常适合于低电压逻辑驱动的应用场合，例如由3.3V或5V微控制器直接控制的开关电路。其低Qg特性意味着驱动电路所需的功率更小，有助于简化驱动设计并减少外围元件数量。
　　该MOSFET的PowerPAK SO-8L封装是一种无引脚表面贴装封装，具有极佳的热传导性能和电流承载能力。相比传统SO-8封装，它去除了封装内部的铜 clip 与 mold flash 问题，提高了可靠性和长期稳定性。同时，该封装结构优化了源极寄生电感，有助于抑制开关过程中的振铃现象，提升EMI性能。器件的结到外壳热阻（RθJC）低至3.5°C/W，确保在高负载条件下仍能有效散热。
　　203CNQ100具备良好的雪崩能量承受能力，经过设计验证可在一定条件下安全运行于电感负载突然断开的情况，增强了系统的鲁棒性。其栅氧层经过严格工艺控制，具备高击穿电压裕量，防止因过压导致的早期失效。此外，器件支持快速切换频率高达数百kHz甚至更高，适用于同步整流、Buck/Boost变换器等高频拓扑结构。所有参数均在宽温度范围内进行测试和保证，确保在极端环境下依然保持性能一致性。

应用

203CNQ100广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括：直流-直流（DC-DC）降压（Buck）和升压（Boost）转换器，尤其适用于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的电源管理单元；作为负载开关用于控制不同电源域的上电时序，防止浪涌电流；在电池供电设备中实现反向极性保护和电源路径管理；用于电机驱动电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机绕组；在LED照明驱动中作为恒流调节开关使用；还可用于热插拔控制器、USB电源开关及各种工业控制模块中。由于其优异的热性能和空间效率，该器件特别适合高密度PCB布局设计，如智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品中的电源子系统。此外，在电信设备、网络路由器和光模块电源中也有广泛应用。其高可靠性也使其适用于部分汽车电子辅助系统，如车载信息娱乐系统的电源管理，但需注意其未通过AEC-Q101认证，因此不推荐用于关键安全相关的汽车主控系统。