时间：2025/8/6 6:48:44
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IXGA42N30C3是一款由Infineon Technologies（英飞凌）制造的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET被设计用于高功率应用，例如电源转换、电机控制和工业自动化系统。其高性能特性使其成为需要高效能和高可靠性的电子设备中的关键元件。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：42A
漏源极电压（VDS）：300V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.085Ω（在VGS=10V时）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
IXGA42N30C3具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其高耐压特性使其能够在高电压环境下稳定工作。
该MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，并且具有较高的热稳定性。此外，它还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够承受意外的电压尖峰，从而提高系统的可靠性。
该器件的封装设计有助于有效的散热，确保在高功率应用中保持良好的热管理。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了控制电路的设计。
IXGA42N30C3广泛应用于各种高功率电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动车充电系统。
由于其高效率和可靠性，这款MOSFET也常用于需要高功率密度和紧凑设计的电力电子设备中。
IPW90R120C3, STW42NM50ND, FDPF42N30
