202S43W471KF4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为行业标准封装,具有良好的散热性能和电气特性,适合多种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:43A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:115nC
开关时间:开启时间 85ns / 关断时间 45ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
202S43W471KF4E 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 高击穿电压 (V(BR)DSS),确保在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关能力,支持高频操作以适应现代电力电子设备的需求。
4. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
5. 增强型热性能,有助于提高整体系统的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到各类电路中。
该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关管。
2. 工业电机驱动器中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器的关键组件。
4. 电动车充电装置及电池管理系统 (BMS) 中的开关器件。
5. 各类 DC/DC 和 AC/DC 转换器的核心功率处理单元。
6. 家用电器中的负载控制模块。
IRFP4468PBF, FDP17N65C, STW97N65M5