时间：2025/7/3 16:02:28
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201R14N270JV4T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，属于增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性，广泛应用于高频电源转换、DC-DC转换器以及通信系统中的射频放大器。其设计旨在满足高功率密度和高效率的需求，特别适合需要高性能和小型化的应用场景。
这款芯片采用了先进的封装技术，能够有效降低寄生电感和热阻，从而提升整体性能。
最大漏源电压：140V
最大连续漏极电流：27A
导通电阻：20mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1640pF
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
201R14N270JV4T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
2. 高开关速度，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 采用氮化镓技术，具备更高的效率和功率密度。
4. 内置ESD保护电路，增强了器件的鲁棒性。
5. 小尺寸封装，适用于紧凑型设计。
6. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性。
该器件适用于多种高性能应用领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于服务器、电信设备和电动汽车。
3. 射频功率放大器，应用于无线通信基站。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 能量回收和储能系统。
这些应用得益于其高效率、快速响应和小尺寸的优势，能够显著提升系统的整体性能。
201R14N270KJ4T, 201R14N270LV4T
