201R14N270JV4T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性,广泛应用于高频电源转换、DC-DC转换器以及通信系统中的射频放大器。其设计旨在满足高功率密度和高效率的需求,特别适合需要高性能和小型化的应用场景。
这款芯片采用了先进的封装技术,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体性能。
最大漏源电压:140V
最大连续漏极电流:27A
导通电阻:20mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:1640pF
开关频率:高达5MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
201R14N270JV4T 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
2. 高开关速度,支持高频应用,减少磁性元件体积。
3. 采用氮化镓技术,具备更高的效率和功率密度。
4. 内置ESD保护电路,增强了器件的鲁棒性。
5. 小尺寸封装,适用于紧凑型设计。
6. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
该器件适用于多种高性能应用领域,例如:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于服务器、电信设备和电动汽车。
3. 射频功率放大器,应用于无线通信基站。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 能量回收和储能系统。
这些应用得益于其高效率、快速响应和小尺寸的优势,能够显著提升系统的整体性能。
201R14N270KJ4T, 201R14N270LV4T