时间：2025/5/15 16:07:50
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201R07S150GV4T 是一款基于硅基材料的高压功率 MOSFET 芯片，主要应用于高电压和高效率场景中。该芯片具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频工作条件下提供优异的性能表现。其封装设计紧凑，适用于各种工业电源、逆变器、电机驱动以及通信设备等应用领域。
该型号采用 Trench 技术制造，能够有效降低器件的导通损耗并提高整体系统的效率。同时，它还具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力。
最大漏源电压：150V
持续漏极电流：7A
导通电阻：2.6mΩ（典型值）
栅极电荷：38nC（典型值）
开关频率：高达 1MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
201R07S150GV4T 的主要特性包括低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。
1. 导通电阻低至 2.6mΩ，可显著减少传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高频工作能力使得其非常适合于开关电源和 DC-DC 转换器等高频应用场景。
3. 内置 ESD 保护功能增强了器件在复杂环境中的可靠性。
4. 宽广的工作温度范围使其适应多种恶劣工况下的使用需求。
5. 具备快速恢复二极管特性，有助于进一步优化动态性能。
这款芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 工业电源转换与管理
2. 太阳能逆变器
3. 电动车辆及混合动力汽车的电机驱动
4. 通信基站中的高效 DC-DC 转换模块
5. 不间断电源 (UPS) 系统
6. 各类消费电子产品的充电适配器
201R07S150GV3T
IRF1404
FDP15N15E
