时间：2025/12/26 23:09:09
阅读：9
2016L500DR是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装（SMD）的瞬态电压抑制二极管阵列，专门用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击等引起的瞬态过电压损害。该器件采用紧凑的双引线无引脚封装（DFN），尺寸仅为2 mm × 1.6 mm × 0.55 mm，非常适合空间受限的便携式电子产品应用。2016L500DR属于Vishay的'VEML'系列低电容ESD保护二极管产品线，具有超低电容特性，确保在高速数据线路中不会引入显著信号失真，适用于USB、HDMI、音频接口、触摸屏控制器等多种高速信号通道的防护。
该器件内部集成了两个独立的双向TVS二极管，可用于保护两条差分或单端信号线。其工作原理是在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响电路运行；当受到超过击穿电压的瞬态过压冲击时，迅速响应并钳位电压至安全水平，将浪涌电流泄放到地，从而保护后级集成电路。2016L500DR的设计符合IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4等国际电磁兼容性标准，提供高达±30 kV空气放电和接触放电的ESD防护能力，是工业、消费类及通信设备中理想的电路保护解决方案。
类型：双向TVS二极管阵列
通道数：2
反向截止电压（VRWM）：5 V
击穿电压（VBR）：最小5.5 V，典型值6.1 V，最大6.8 V
钳位电压（VC）：12.5 V（在IPP = 1.3 A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1.3 A（单脉冲，8/20 μs波形）
峰值脉冲功率（PPPM）：80 W（10×1000 μs脉冲）
漏电流（IR）：最大1 μA
电容值（Cj）：典型值0.3 pF，最大0.5 pF（在0 V偏置下）
ESD耐受能力：±30 kV（IEC 61000-4-2，空气和接触放电）
封装形式：DFN-2（2016尺寸）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
焊接温度（峰值）：260°C（根据J-STD-020标准）
2016L500DR具备卓越的瞬态抑制性能和极低的寄生电容，使其成为高速数字接口的理想保护元件。其最显著的特性之一是超低结电容，典型值仅为0.3 pF，在高频信号传输路径中几乎不会引起信号衰减或反射，有效避免了传统保护器件可能带来的信号完整性问题。这一特性尤其适用于现代高速串行总线如USB 2.0、HDMI TMDS通道、MIPI DSI/CSI以及RF天线开关控制线路等对电容敏感的应用场景。此外，该器件采用双向结构设计，能够在正负极性瞬态事件中均提供对称保护，无需考虑信号极性方向，简化了PCB布局与选型流程。
另一个关键特性是其快速响应时间，小于1纳秒，可在ESD事件发生的瞬间立即导通并将能量分流，防止高压侵入下游CMOS芯片。结合高达±30 kV的IEC 61000-4-2 ESD防护等级，该器件能够应对极端环境下的静电威胁，提升系统的可靠性和耐用性。同时，其小型DFN封装不仅节省PCB空间，还具有良好的热传导性能，有助于在多次瞬态冲击后快速散热，维持长期稳定性。器件符合RoHS和无卤素要求，并支持自动化贴片工艺，适合大规模生产使用。此外，低漏电流（≤1 μA）确保在待机或低功耗模式下不会增加系统能耗，适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴装置。
2016L500DR广泛应用于需要高等级静电防护且信号速率较高的电子系统中。典型应用包括移动通信设备中的USB OTG接口、耳机插孔、SIM卡槽和触摸屏传感器线路保护，这些接口经常暴露于用户直接接触环境中，极易遭受ESD冲击。在便携式消费类电子产品如智能手表、无线耳机和数码相机中，该器件用于保护微弱信号链路免受外界干扰。此外，它也常用于工业人机界面（HMI）、POS终端、医疗监测设备等人机交互频繁的场合，以增强产品的EMI抗扰度和现场可靠性。在汽车电子领域，2016L500DR可用于车载信息娱乐系统的外部连接端口保护，例如A/V输入输出接口或诊断接口，保障车辆电子模块在复杂电磁环境下的稳定运行。由于其出色的高频特性，还可用于射频前端模块的控制线保护，防止天线切换开关或调谐电路因静电损坏。总之，凡是有高速、低电压、易受ESD影响的信号线路，都是2016L500DR的适用领域。
VEML500B-M3-18
VBU211SD1X
SP1006-05UTG
RCLAMP0504.TCT
TPD1E10B09DPYR
