200WNA1 时间：2025/8/28 8:40:19 阅读：22

200WNA1 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管设计用于高功率应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。MOSFET 是现代电力电子设备中常见的元件，广泛用于电源转换、电机控制、照明系统和各种高功率电子设备中。200WNA1 采用 TO-247 封装，适用于需要高效能和高可靠性的场合。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）: 190A
　　漏源击穿电压（Vds）: 200V
　　栅源击穿电压（Vgs）: ±30V
　　导通电阻（Rds(on)）: 0.024Ω（最大）
　　功耗（Ptot）: 300W
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C
　　封装: TO-247

特性

200WNA1 具备多个显著的电气和物理特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。其次，该器件具有较高的漏源击穿电压（200V），适用于中高压功率转换应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和散热能力，TO-247 封装设计有助于快速散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　200WNA1 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V 至 20V），允许使用多种驱动电路，从而提高了设计的灵活性。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。此外，该器件的高耐用性和抗过载能力也使其在恶劣工作环境中表现出色，例如工业自动化系统和电动汽车电源管理系统。
　　该MOSFET还具备较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于减少高频开关下的电磁干扰（EMI）和功耗。其封装符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。总的来说，200WNA1 是一款高性能功率MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场合。

应用

200WNA1 由于其高功率处理能力和优异的电气性能，广泛应用于多个领域。例如，在工业电源系统中，它常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机驱动电路。在电动汽车领域，该器件可用于电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）等关键部件。此外，它还被广泛用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等新能源相关设备中。
　　在消费类电子产品中，200WNA1 可用于高功率LED照明系统、智能家电的电机控制模块以及高功率音频放大器。同时，它也适用于自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）中的高功率开关模块。在通信设备中，该MOSFET可作为电源管理单元的一部分，用于实现高效能和高可靠性的供电系统。此外，该器件还可用于测试设备、电源分配系统以及各种高功率实验平台，满足不同行业对功率电子元件的高性能需求。