200WNA1 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管设计用于高功率应用,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。MOSFET 是现代电力电子设备中常见的元件,广泛用于电源转换、电机控制、照明系统和各种高功率电子设备中。200WNA1 采用 TO-247 封装,适用于需要高效能和高可靠性的场合。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流(Id): 190A
漏源击穿电压(Vds): 200V
栅源击穿电压(Vgs): ±30V
导通电阻(Rds(on)): 0.024Ω(最大)
功耗(Ptot): 300W
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
封装: TO-247
200WNA1 具备多个显著的电气和物理特性,使其适用于各种高功率应用场景。首先,它的低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体效率。其次,该器件具有较高的漏源击穿电压(200V),适用于中高压功率转换应用。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和散热能力,TO-247 封装设计有助于快速散热,确保器件在高负载条件下稳定运行。
200WNA1 的栅极驱动电压范围较宽(通常为 10V 至 20V),允许使用多种驱动电路,从而提高了设计的灵活性。同时,其快速开关特性降低了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。此外,该器件的高耐用性和抗过载能力也使其在恶劣工作环境中表现出色,例如工业自动化系统和电动汽车电源管理系统。
该MOSFET还具备较低的输入电容和反向恢复电荷,有助于减少高频开关下的电磁干扰(EMI)和功耗。其封装符合 RoHS 环保标准,适用于现代绿色电子产品的设计要求。总的来说,200WNA1 是一款高性能功率MOSFET,适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场合。
200WNA1 由于其高功率处理能力和优异的电气性能,广泛应用于多个领域。例如,在工业电源系统中,它常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机驱动电路。在电动汽车领域,该器件可用于电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC)等关键部件。此外,它还被广泛用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源(UPS)等新能源相关设备中。
在消费类电子产品中,200WNA1 可用于高功率LED照明系统、智能家电的电机控制模块以及高功率音频放大器。同时,它也适用于自动化控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)中的高功率开关模块。在通信设备中,该MOSFET可作为电源管理单元的一部分,用于实现高效能和高可靠性的供电系统。此外,该器件还可用于测试设备、电源分配系统以及各种高功率实验平台,满足不同行业对功率电子元件的高性能需求。
IRFP460LC、IXFH190N20T、STW190N20DH5AG、FDPF190N20