1XTV26000ALA是一种高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合需要快速开关和低功耗的应用环境。
此型号属于增强型N沟道MOSFET,其设计旨在优化性能和可靠性,同时提供出色的热稳定性和电气特性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=37ns, toff=18ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
1XTV26000ALA具有以下显著特性:
1. 高击穿电压,可承受高达600V的工作电压,适用于高压应用。
2. 低导通电阻(Rds(on)),在大电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关能力,支持高频操作,减少开关损耗。
4. 栅极电荷低,降低了驱动电路的复杂性和能耗。
5. 热稳定性强,能够在较宽的温度范围内保持一致的性能。
6. 具备优异的抗雪崩能力和鲁棒性,确保在极端条件下的可靠性。
1XTV26000ALA适用于多种工业和消费类电子产品,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制器
3. DC-DC转换器
4. 逆变器
5. LED驱动器
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 工业自动化设备中的功率控制模块
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