型号：1ST280EY3F55E3VGS1
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：IGBT 模块
　　配置：单管或半桥（具体以数据手册为准）
　　集电极-发射极电压 VCES：1200 V
　　集电极电流 IC @ 25°C：280 A
　　集电极电流 IC @ 100°C：180 A
　　最大结温 TJ：150 °C
　　栅极-发射极电压 VGE：±20 V
　　导通饱和电压 VCE(sat) @ 25°C：约 2.1 V（典型值）
　　开关频率：可达数十 kHz
　　安装方式：螺钉式或压接式安装
　　封装形式：可能为 HiPak 或类似紧凑型模块封装
　　隔离电压：≥ 2500 VAC（典型）
　　热阻 Rth(j-c)：约 0.15 ~ 0.25 K/W（视封装而定）

1ST280EY3F55E3VGS1 采用先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）IGBT 技术，这种结构显著降低了器件的拖尾电流，从而有效减少了关断过程中的能量损耗，提升了高频开关效率。其优化的电场分布设计增强了器件在高压条件下的可靠性，同时降低了 VCE(sat) 值，使得在额定负载下具有更低的导通功耗，有利于提高系统的整体能效。
　　该模块具备出色的热稳定性与长期运行可靠性，内部连接采用高强度铝线键合或铜带连接技术，确保在温度循环和高负载冲击下仍保持稳定的电气连接。芯片布局经过优化，减小了寄生电感，有助于抑制开关瞬态过程中的电压尖峰，提升系统EMI性能。此外，该器件对短路事件具有一定的耐受能力（通常为几微秒），可在配合外部驱动保护电路时实现快速响应，防止因过流导致的永久损坏。
　　1ST280EY3F55E3VGS1 支持并联使用，适用于大功率应用场景。由于其参数一致性高、热阻低，多个模块并联时电流分配较为均衡，提高了系统扩展性与设计灵活性。该器件还兼容主流的驱动IC接口标准，栅极驱动电压范围宽（±20V），可适配多种驱动方案，包括光耦隔离驱动和数字隔离驱动器。整体封装满足工业级绝缘要求，提供良好的散热路径，支持强制风冷或水冷散热方式，适应不同冷却条件下的部署需求。

该 IGBT 模块主要面向中高功率电力电子系统，广泛用于工业电机驱动领域，如伺服驱动器、变频器和泵类控制系统中，能够高效控制交流电机的转速与扭矩，实现节能运行。在新能源领域，它被应用于光伏逆变器的核心开关单元，将太阳能板产生的直流电高效转换为并网所需的交流电，支持最大功率点跟踪（MPPT）算法的实现。
　　在不间断电源（UPS）系统中，1ST280EY3F55E3VGS1 可作为逆变桥臂的关键元件，实现市电中断时的无缝切换与稳压输出，保障关键设备持续供电。此外，该器件也适用于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置，利用高频交变电流产生涡流实现快速加热，具备响应快、控制精度高的优势。
　　在电动汽车充电桩（尤其是直流快充桩）和储能变流器（PCS）中，该模块可用于DC-AC或AC-DC功率转换级，支持双向能量流动，满足现代智能电网对灵活调度的需求。由于其高可靠性和长寿命特性，也常用于轨道交通辅助电源系统及工业焊接电源中，作为核心开关元件承担频繁启停和重载任务。