时间：2025/12/26 18:01:09
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1ST250EY3F55E3XG是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用HMSM8封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用设计，适用于需要低正向电压降和快速开关特性的电路。该二极管的命名遵循ROHM的标准编码规则，其中包含了额定电压、电流、封装类型等信息。该产品广泛应用于消费类电子产品、工业设备、通信模块以及便携式设备中的电源管理部分。由于其小型化封装和优良的热性能，适合在空间受限但对功耗敏感的应用中使用。
该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，表明其具备较高的环境耐受性和长期稳定性，可用于车载电子系统如DC/DC转换器、电池管理系统和车载充电装置等场景。此外，产品满足RoHS环保要求，并具有无卤素（Halogen-free）特性，适应现代绿色电子制造趋势。1ST250EY3F55E3XG通过优化芯片结构和封装材料，在保证高性能的同时实现了优异的散热能力与机械强度，是替代传统PN结二极管的理想选择之一。
产品型号：1ST250EY3F55E3XG
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：肖特基势垒二极管（SBD）
最大重复反向电压（VRRM）：25V
平均整流电流（IO）：2.0A
正向压降（VF）：典型值0.55V（在IF=2.0A时）
最大反向漏电流（IR）：≤ 0.1mA（在VR=25V时）
峰值脉冲电流（IFSM）：50A（单半正弦波，8.3ms）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装形式：HMSM8（超小型表面贴装）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：8
是否符合RoHS：是
是否无卤素：是
是否车规级：符合AEC-Q101
1ST250EY3F55E3XG具备出色的电学性能和热稳定性，其核心优势在于低正向导通压降（VF），在2A电流下典型值仅为0.55V，显著降低了功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少发热问题。同时，由于肖特基二极管本身属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的反向恢复速度（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），可有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。
该器件采用ROHM先进的沟槽型肖特基结构（Trench SBD）技术，优化了电场分布，提升了击穿电压均匀性和抗浪涌能力，从而增强了长期运行的稳定性和耐用性。HMSM8封装具有较小的占位面积（约2.0mm x 1.6mm）和薄型轮廓（高度约0.75mm），非常适合高密度PCB布局需求。封装内部采用铜夹连接（Copper Clip）工艺，相比传统键合线结构，大幅降低了寄生电阻和热阻，提升了电流承载能力和散热效率。
此外，该二极管支持高浪涌电流能力（IFSM达50A），可在瞬态负载或启动过程中承受较大的电流冲击而不损坏，适用于频繁启停或动态变化的电源环境。宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在严苛环境下可靠运行，结合AEC-Q101认证，确保其在汽车电子应用中的品质一致性。器件还具备良好的湿气抵抗性和机械坚固性，适用于自动化贴片生产和回流焊工艺。整体设计兼顾性能、尺寸与可靠性，满足现代高效能、小型化电源系统的设计需求。
1ST250EY3F55E3XG主要应用于需要高效能、小体积和高可靠性的直流电源系统中。常见用途包括各类DC/DC转换器，特别是在同步整流架构中作为续流二极管或输出整流元件，利用其低VF特性降低能耗，提高转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于电池充放电管理电路和电压调节模块，帮助实现轻薄化设计与长续航目标。
在汽车电子领域，该器件广泛用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源、LED照明驱动、电动助力转向（EPS）控制单元及车载充电机（OBC）中的辅助电源部分。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，能够在发动机舱附近或高温环境中稳定运行。此外，在工业控制系统、网络通信设备和智能家居模块中，也常被用作防反接保护、电源路径切换和反向电压隔离功能的实现元件。
由于其快速开关特性和低噪声表现，该二极管还可用于高频开关电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器的小信号整流环节以及各类适配器和电源模块中。在多相供电系统中，多个此类二极管可并联使用以分担电流，提升系统冗余度和散热性能。总体而言，该器件适用于所有追求高效率、紧凑布局和长期稳定运行的现代电子系统。
RB052L-40
