类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：300 mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.2 A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5 Ω @ Vgs = 10 V, Id = 100 mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3 Ω @ Vgs = 4.5 V, Id = 100 mA
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V @ Id = 250 μA
　　栅极电荷（Qg）：3.5 nC @ Vds = 30 V, Id = 150 mA
　　输入电容（Ciss）：230 pF @ Vds = 30 V, Vgs = 0 V
　　反向传输电容（Crss）：40 pF
　　输出电容（Coss）：180 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：5 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：450 K/W
　　封装形式：SOT-323 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装

2N7002DWS-7的核心特性之一是其优异的开关性能与低导通电阻的结合，使其在低功率开关应用中表现出色。该MOSFET的Rds(on)在Vgs=10V时仅为4.5Ω，在同类SOT-323封装器件中属于较低水平，这意味着在导通状态下功耗更小，发热更低，有助于提高系统效率并延长电池寿命。其开启阈值电压Vgs(th)最低可低至1.0V，典型值约为2.0V，因此可以兼容3.3V甚至部分2.5V或1.8V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，极大简化了数字控制接口设计。
　　另一个重要特性是其快速的开关响应能力。得益于较小的栅极电荷（Qg=3.5nC）和输入电容（Ciss=230pF），该器件可以在高频条件下高效工作，适用于PWM调光、高频DC-DC转换辅助开关等场景。同时，其反向传输电容Crss仅为40pF，有助于减少米勒效应带来的误触发风险，提升开关稳定性。在热性能方面，虽然SOT-323封装体积小巧，但通过合理的PCB布局（如增加铜箔面积作为散热焊盘），仍能有效散出工作热量，确保长期可靠运行。
　　该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳定的电气参数漂移控制，经过严格的生产测试和质量管控，保证批次一致性。其-55°C至+150°C的宽工作结温范围，使其不仅适用于常温环境下的民用产品，也能在恶劣工业环境中保持稳定性能。此外，器件内部结构采用了先进的沟道工艺，提高了载流子迁移率，从而在低电压下也能维持较高的跨导和开关速度。整体来看，2N7002DWS-7在性能、尺寸、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是现代小型化电子产品中不可或缺的基础元件之一。

2N7002DWS-7的应用领域非常广泛，主要集中在需要小型化、低功耗开关控制的场合。常见应用包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制特定模块的电源通断，例如蓝牙模块、Wi-Fi芯片、传感器单元等的上电时序管理。在LED驱动电路中，它可用于实现简单的开/关控制或配合MCU进行PWM调光，因其低Rds(on)可减少压降损失，提高能效。此外，该器件常用于电平转换电路，特别是在I2C、UART等低速通信总线中，作为双向电平移位器的一部分，连接不同电压域的设备，确保信号完整性。
　　在电源管理系统中，2N7002DWS-7可用于电池供电设备的反向电流阻断、备用电源切换或LDO使能控制。由于其具备较高的Vds耐压（60V），也可用于低压直流电机的驱动控制，尤其是微型步进电机或风扇电机的H桥低端开关。在数字逻辑接口扩展中，它可以替代传统的双极型晶体管作为缓冲器或反相器使用，利用其高输入阻抗降低前级驱动负担。此外，该器件还广泛应用于各类适配器、充电器、智能家居控制板、工业仪表和医疗电子设备中，承担信号切换、继电器驱动、蜂鸣器控制等功能。其SOT-323封装便于高密度贴装，特别适合多层紧凑型PCB设计，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。

BSS138DW-7-F
　　DMG2302UK-7
　　SI2302DS-S16-7
　　FDC630P_NL
　　2N7002KW