时间：2025/12/26 17:43:15
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1ST210EU1F50E1VG是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用双二极管共阴极配置，适用于高频开关电源和低电压整流应用。该器件基于硅半导体工艺制造，具有低正向压降、快速开关响应和高效率的特点，能够在紧凑的空间内实现高效的能量转换。其封装形式为超小型SC-70（SOT-765）封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，适合对空间要求极为严格的便携式电子设备。该型号广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电的消费类电子产品中，作为DC-DC转换器中的同步整流元件或反向电流保护器件。此外，该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，表明其具备在汽车电子环境中稳定工作的能力，可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动及车身控制模块等场景。产品符合RoHS环保要求，无铅且不含卤素，支持回流焊工艺，便于自动化贴片生产。
类型：双共阴极肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
最大直流反向电压（VR）：20V
平均整流电流（IO）：300mA（每芯片）
峰值浪涌电流（IFSM）：1.2A
最大正向压降（VF）：420mV（@ IF=150mA, TA=25°C）
最大反向漏电流（IR）：100μA（@ VR=20V, TA=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装：SC-70（SOT-765）
安装类型：表面贴装（SMD）
1ST210EU1F50E1VG的核心优势在于其低正向导通压降和优异的开关性能。在150mA的工作电流下，其典型正向压降仅为420mV，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。这对于依赖电池供电的移动设备尤为重要，能够延长设备的续航时间。该器件采用先进的沟槽型肖特基结构设计，优化了电场分布，有效抑制了反向漏电流，即使在高温环境下也能保持较低的漏电水平，确保系统在各种工况下的稳定性。
该二极管具备极快的反向恢复时间（trr < 1ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频DC-DC变换器中可实现高效整流，减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。其双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享同一阴极连接，非常适合用于同步整流拓扑或电压钳位电路中，简化PCB布局并节省空间。
热性能方面，SC-70封装虽然体积微小，但通过优化内部引线和焊盘设计，实现了良好的热传导能力，可在高密度组装条件下维持可靠运行。器件支持?55°C至+150°C的宽结温范围，适应严苛的环境条件，包括高温车载应用。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性与安全性。
1ST210EU1F50E1VG主要面向高密度、低功耗的便携式电子设备电源管理电路。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的DC-DC升压或降压转换器，用于同步整流以提升转换效率；也可作为锂电池保护电路中的防反接或反向放电保护元件。在LED背光驱动电路中，该器件可用于防止电流倒灌，保障驱动芯片安全。由于其具备AEC-Q101认证，因此也适用于汽车电子系统，如车载摄像头电源、仪表盘显示模块、车身控制单元中的低压电源轨整流等。
在物联网终端设备和可穿戴产品中，因其超小型封装和低功耗特性，成为理想的选择。例如在智能手表或无线耳机中，用于LDO后级滤波或多电源路径管理中的隔离二极管。此外，在FPGA、ASIC或微控制器的电源域切换电路中，该器件可用于构建OR-ing电源选择电路，实现主备电源无缝切换。在工业传感器和无线通信模块中，该二极管可用于瞬态电压抑制辅助电路或ESD保护路径中的整流环节，提升系统鲁棒性。
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"RB751V40T1U",
"PMDS320UC,115",
"BAT54CWS",
"DMN2040L-7",
"NSR02F01MX"
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