时间：2025/12/26 17:56:19
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1ST165EU3F50I3XG是一款由Vishay Semiconductors生产的单通道、常开（normally open）固态继电器（SSR），采用先进的光耦合技术，适用于需要高隔离电压和低导通电阻的信号切换应用。该器件基于硅光电二极管阵列驱动功率MOSFET结构，无需外部电源即可实现负载控制，属于无源驱动型固态继电器。其封装形式为SOP-4表面贴装小型封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适合在空间受限的高密度PCB设计中使用。该器件广泛应用于工业自动化、医疗设备、测试与测量仪器以及通信系统中的信号隔离与切换场景。
1ST165EU3F50I3XG具备高达5000 VRMS的输入-输出隔离电压，确保在高压环境下的安全操作，并能有效防止噪声干扰和接地环路问题。其输出端可承受最高达375 V峰值的负载电压，持续导通电流可达1.2 A RMS，适用于中低压交流或直流负载的控制。由于其无触点设计，不存在机械磨损，因此具有超长寿命、高可靠性和快速响应的特点。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，在现代绿色电子制造中具备良好兼容性。
类型：单通道常开固态继电器
封装/外壳：SOP-4
输入类型：红外LED
输出类型：功率MOSFET（双向）
最大负载电压（VDS）：375 V（峰值）
最大连续通态电流（ID）：1.2 A RMS
导通电阻（RON）：典型值350 mΩ，最大值500 mΩ
输入-输出隔离电压：5000 VRMS（1分钟，UL 1577认证）
响应时间（开通）：典型值 0.5 ms
响应时间（关断）：典型值 0.7 ms
工作温度范围：-40°C 至 +110°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
LED正向电流（IF）：最大 60 mA
LED反向电压（VR）：5 V
功耗（PD）：1.2 W（最大）
1ST165EU3F50I3XG采用先进的光电MOSFET技术，通过集成高效率硅光电二极管阵列作为驱动源，能够在无需外部偏置电源的情况下直接驱动输出端的功率MOSFET。这种结构显著降低了系统的复杂性，仅需一个低功率LED输入信号即可实现对较高电压/电流负载的完全控制。其内部光电阵列在接收到LED发出的光后产生足够的栅极电压，使MOSFET进入导通状态，从而形成低阻抗通路。由于MOSFET为电压控制型器件，静态功耗极低，且在导通状态下几乎不消耗驱动能量，使得整个继电器系统具备出色的能效表现。
该器件具有非常低的导通电阻（典型值仅为350 mΩ），这不仅减少了导通时的功率损耗和发热，还提高了系统的整体效率，特别适合用于电池供电或对温升敏感的应用场合。同时，低RON有助于保持信号完整性，尤其在模拟信号开关应用中可减少失真和衰减。此外，其双向导电特性允许电流在两个方向自由流动，使其能够用于交流信号或双极性直流信号的切换，扩展了应用场景的灵活性。
1ST165EU3F50I3XG具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000 VRMS的隔离电压，满足工业级绝缘要求，并通过UL、CSA等安全认证，适用于需要功能隔离或安全隔离的高可靠性系统。其固态结构无机械触点，避免了传统电磁继电器常见的弹跳、电弧、磨损等问题，因而具备更长的使用寿命和更高的抗振动、抗冲击能力，适合恶劣工业环境使用。此外，该器件响应速度快，开通时间仅0.5 ms，关断时间约0.7 ms，远快于机械继电器，适用于需要频繁切换或精确时序控制的应用场景。
1ST165EU3F50I3XG因其高隔离性、低导通电阻和固态可靠性，被广泛应用于多种工业与电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的传感器信号切换、PLC模块内的输入/输出隔离单元、数据采集系统中的多路复用器保护电路以及测试与测量设备中的自动校准路径选择开关。由于其支持交流和直流负载切换，可用于程控电源、自动测试设备（ATE）中的负载接入控制，以及医疗设备中需要电气隔离的安全信号传输路径。
在通信系统中，该器件可用于音频或低频信号的路由切换，利用其低失真和高保真特性保证信号质量。此外，在楼宇自动化、安防系统和智能仪表中，它可替代传统电磁继电器，实现静音、无磨损的操作体验。由于其SOP-4表面贴装封装，非常适合自动化贴片生产，广泛用于需要小型化、高密度布局的现代电子产品设计中。对于需要长期稳定运行且维护成本低的应用，如远程监控终端或嵌入式控制模块，该器件也是理想选择。
TLP3558F
