制造商：Littelfuse
　　产品系列：NanoTVS
　　器件类型：TVS 二极管阵列
　　通道数：4 通道
　　工作电压（VRWM）：12V
　　击穿电压（VBR）：13.3V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：1.5A
　　钳位电压（VC）：18V @ 1A
　　ESD 耐压能力：±15kV（接触放电）、±20kV（空气放电）
　　响应时间：<1ns
　　电容值（每通道）：1.5pF @ 0V
　　封装形式：DFN-6（双扁平无引脚）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　符合 RoHS 指令：是
　　AEC-Q101 认证：否

1ST110EN2F43I2LGAS 具备出色的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应静电放电（ESD）事件，从而防止下游集成电路因高电压瞬变而损坏。其核心特性之一是极低的结电容（仅 1.5pF 每通道），这使得它非常适合用于现代高速数字接口，例如 USB 2.0、HDMI 和 RF 天线线路，在这些应用中，传统较高电容的保护器件可能会引起信号衰减或失真。此外，该器件采用双向二极管结构设计，支持正负极性瞬态电压的钳制，增强了在复杂电磁环境下的适应能力。
　　另一个关键优势是其优异的 ESD 抗扰度，依据 IEC 61000-4-2 标准测试时可承受高达 ±20kV 的空气放电和 ±15kV 的接触放电，远高于大多数消费电子产品所要求的安全等级。这种高强度防护能力使其成为智能手机、平板电脑和可穿戴设备中理想的选择。同时，其紧凑的 DFN-6 封装不仅节省 PCB 空间，还具备良好的热传导性能，有助于在多次瞬态事件后快速散热，维持长期稳定性。
　　该 TVS 阵列还具有非常低的漏电流（典型值 <1μA @ 12V），在正常工作条件下几乎不消耗系统功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。由于采用了先进的硅芯片工艺，器件的一致性和可靠性极高，批次间参数偏差小，适合自动化贴片生产流程。此外，其 12V 的反向截止电压适用于 3.3V 至 12V 的逻辑电路系统，兼容多种常见电源轨，无需额外电压匹配电路即可直接部署。整体而言，1ST110EN2F43I2LGAS 在小型化、高性能与成本效益之间实现了良好平衡，是现代电子系统中不可或缺的保护元件。

1ST110EN2F43I2LGAS 主要应用于需要高密度、低电容 ESD 保护的便携式电子设备和通信模块中。典型使用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB OTG 接口、Micro-HDMI 端口、SIM 卡插座以及耳机插孔等外露连接器的信号线保护。在这些位置，用户频繁插拔线缆或手指接触端子极易引入静电，若无有效防护，可能导致主控芯片或音频编解码器永久性损伤。该器件凭借其 ±20kV 的超强 ESD 抑制能力，能显著提升终端产品的现场可靠性与客户满意度。
　　在工业控制领域，该 TVS 阵列可用于保护 PLC 输入输出模块、人机界面（HMI）触摸屏连接线以及 RS-485 通信总线，抵御工厂环境中常见的电快速瞬变干扰。此外，在汽车电子系统中，尽管该型号未通过 AEC-Q101 认证，但仍可用于非动力域的车载信息娱乐系统（IVI）内部低速数据线保护，如 AUX-IN、蓝牙模块天线接口等。其 -40°C 至 +125°C 的宽温工作范围也支持其在严苛环境下稳定运行。
　　消费类家电如智能电视、游戏手柄、无线耳机充电盒等产品同样受益于该器件的小尺寸和高效保护特性。特别是在高清音视频传输路径中，低电容设计避免了高频信号的相位延迟与幅度衰减，保证了原始信号质量。对于设计工程师而言，1ST110EN2F43I2LGAS 提供了一种即插即用式的解决方案，无需复杂的外围电路即可实现多通道同步保护，大幅缩短开发周期并降低整体 BOM 成本。

RCLAMP0524P
　　SP1205-04UTG
　　SRV05-4
　　TPD4EUSB30DR