时间：2025/7/7 16:41:54
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UMK325LD475MM-P 是一种基于硅技术的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的封装技术，以提供卓越的电气性能和热性能。它具有低导通电阻和快速开关速度，使其非常适合高效率的应用场景。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：325 A
导通电阻：4.75 mΩ
栅极电荷：125 nC
总功耗：300 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
UMK325LD475MM-P 提供了低导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
其具备出色的热性能，能够有效降低芯片温度，增强可靠性。
此外，该器件支持高速开关操作，可适应高频应用场景。
封装形式坚固耐用，适合恶劣环境下的使用。
还集成了多种保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，确保在异常情况下的安全性。
该功率 MOSFET 广泛用于工业领域的开关电源设计中，包括不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。
同时适用于电动车辆中的牵引逆变器和电池管理系统。
在消费电子领域，它可以作为家电设备中的高效开关元件。
也常用于电信基础设施中的 DC-DC 转换器和功率因数校正（PFC）电路。
UMK325LD475KM-P
IRFP260N
FDP325N65A
