类型：硅小信号开关二极管
　　最大正向电流（IF）：150 mA
　　最大反向电压（VR）：80 V
　　正向电压降（VF）：1.2 V（在100 mA时）
　　反向漏电流（IR）：0.1 μA（最大，在25°C时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SC-70（SOT-323）
　　安装类型：表面贴装
　　结电容（Cj）：4 pF（典型值，在0V时）
　　反向恢复时间（trr）：4 ns（最大值）

1SS400G 8K/R 二极管具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于多种高频和低功耗应用。
　　首先，该器件的最大正向电流为150 mA，能够满足大多数小信号开关需求。其最大反向电压为80 V，确保在中高压开关应用中具有良好的稳定性和安全性。正向电压降为1.2 V，在100 mA电流下表现良好，有助于减少功耗并提高效率。
　　其次，1SS400G 8K/R 的反向漏电流非常低，最大为0.1 μA，在25°C时，这使得它在高温环境下也能保持良好的性能，适用于对漏电流敏感的电路设计。
　　此外，该二极管的反向恢复时间（trr）仅为4 ns，表明其具有非常快的开关速度，适用于高频整流和数字开关电路。结电容（Cj）为4 pF，在高频应用中对信号完整性影响较小，有助于提高电路的响应速度。
　　该器件采用SC-70（SOT-323）封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片生产流程。
　　其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于广泛的工业和消费类应用环境，确保在极端温度条件下仍能稳定工作。

1SS400G 8K/R 二极管广泛应用于多个电子领域。在通信设备中，它常用于射频（RF）开关和信号路由电路。在计算机和外围设备中，该器件可用于电源管理和信号切换。此外，1SS400G 8K/R 也常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电压检测和信号控制电路。由于其快速开关特性和低漏电流，它也适用于电池供电设备中的节能电路设计。在工业控制系统中，该二极管可用于传感器接口、数据采集系统以及继电器驱动电路。

1SS400G 8K/R 的替代型号包括1N4148W-7-F（Diodes Inc.）、BAV99LT1G（ON Semiconductor）、1SS354（Toshiba）和BAR14（Infineon Technologies）。这些型号在封装、电气性能和应用场景上与1SS400G 8K/R 相似，可根据具体设计需求进行替换。