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1SS389,H3F 发布时间 时间:2025/6/16 19:18:48 查看 阅读:13

1SS389和H3F是两种不同的电子元器件型号,其中1SS389是一种双极性晶体管(BJT),主要用于高频开关和放大应用。H3F通常指的是一种特定类型的场效应晶体管(FET),常用于功率管理或射频电路中。
  1SS389属于NPN型晶体管,适用于小信号放大和高速开关操作。而H3F则可能代表一种增强型MOSFET,具体特性需要结合其完整型号进一步确认。

参数

类型:NPN晶体管(1SS389)、MOSFET(H3F)
  集电极-发射极电压:50V
  集电极电流:200mA
  增益(hFE):100~300
  栅极电压(H3F):±20V
  漏极电流(H3F):1A

特性

1SS389具有低噪声、高增益和快速开关速度的特点,适合在音频和射频电路中使用。
  H3F作为一种场效应晶体管,具备较低的导通电阻和较高的效率,在电源转换、电机驱动等场景下表现出色。
  两者均能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能,且封装形式多样化,便于实际应用中的设计选型。

应用

1SS389广泛应用于无线通信设备、音频放大器以及脉冲发生器等场合。
  H3F主要用作功率开关,在DC-DC转换器、逆变器及LED驱动电路中发挥重要作用。
  此外,这两种元器件也可作为通用放大或开关元件使用,根据具体需求调整外围电路即可满足多种功能要求。

替代型号

1SS389替代型号:2SC1815, 2N3904
  H3F替代型号:IRF540, FQP17N25

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1SS389,H3F参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)100mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)600 mV @ 50 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 10 V
  • 不同?Vr、F 时电容25pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装ESC
  • 工作温度 - 结125°C(最大)