最大正向电流（IF）：100mA
　　最大反向电压（VR）：30V
　　正向压降（VF）：典型值0.3V（在10mA时）
　　反向电流（IR）：最大值100nA（在25°C时）
　　恢复时间（trr）：小于5ns
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

1SS387FN2 的主要特性包括其低正向电压降，这使得器件在导通状态下功耗较低，提高了能效。此外，该二极管的快速恢复时间使其非常适合用于高频整流和高速开关电路中。肖特基势垒结构提供了较低的结电容，进一步增强了器件的高频响应能力。
　　该器件的SOD-523封装形式不仅节省空间，还便于在表面贴装技术（SMT）中使用，提高了生产效率和装配精度。此外，1SS387FN2 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较高的环境温度下正常工作，适用于各种工业和消费类电子应用。
　　在电气性能方面，1SS387FN2 的最大正向电流为100mA，最大反向电压为30V，能够在较宽的工作电压范围内保持稳定性能。反向漏电流较小，有助于减少不必要的功耗和发热，提高电路的整体稳定性。

1SS387FN2 适用于多种电子电路和系统，尤其是在需要高速开关和低功耗特性的场合。常见的应用包括高频整流器、信号检测电路、保护电路、DC-DC转换器、电源管理电路以及射频（RF）电路中的检波和混频应用。
　　在通信设备中，1SS387FN2 可用于高频信号的检波和处理，确保信号的完整性与稳定性。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该二极管可用于电源管理电路，提供高效的能量转换效率。
　　此外，该器件也可用于工业控制系统、传感器电路和嵌入式系统的保护电路中，防止反向电压或瞬态电压对敏感电子元件造成损害。由于其小封装特性，1SS387FN2 在便携式设备和高密度PCB设计中尤为受欢迎。

1SS387FHE6326, 1SS387FH