时间：2025/7/12 13:57:02
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R1180D261B-TR-F 是一款高性能的射频 (RF) 晶体管，主要用于高频放大和信号处理。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有高增益、低噪声和出色的线性度特性，适用于无线通信、雷达系统和其他射频应用领域。
其设计能够满足严苛的工作环境需求，并提供稳定的性能表现。
型号：R1180D261B-TR-F
类型：射频晶体管
封装：TO-263
工作频率范围：DC 至 4 GHz
增益：18 dB（典型值）
输出功率：25 dBm（典型值）
集电极最大电流：1.5 A
集电极最大电压：30 V
噪声系数：1.5 dB（典型值）
插损：1.2 dB（典型值）
功耗：40 W（最大值）
R1180D261B-TR-F 的主要特性包括高频率操作能力、优秀的线性度以及较低的噪声系数。它能够在高达 4 GHz 的频率范围内保持稳定性能，非常适合需要高效率和低失真的应用。
此外，这款晶体管具备良好的热稳定性，可有效降低因温度变化引起的性能波动。同时，其封装形式也便于安装与散热管理，进一步增强了产品的可靠性。
在实际使用中，该晶体管通过优化内部结构设计实现了较高的输出功率密度，从而减少了整体系统的尺寸和重量。这使其成为许多现代通信设备的理想选择。
R1180D261B-TR-F 广泛应用于各种射频相关领域，如：
1. 基站收发信机中的功率放大器模块
2. 卫星通信系统的上变频器/下变频器电路
3. 雷达探测设备中的发射机部分
4. 测试测量仪器内的信号源生成单元
5. 医疗成像装置里的超声波换能器驱动组件等。
这些应用场景都依赖于 R1180D261B-TR-F 提供的强大射频处理能力和卓越性能指标。
R1180D260A-TR-F, R1180D262C-TR-F
