型号：1SS380TE-17
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOD-523
　　二极管类型：Switching Diode
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　最大平均整流电流（IO）：150mA
　　最大正向压降（VF）：1.1V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 70V
　　最大反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　安装类型：Surface Mount

1SS380TE-17的核心特性之一是其极短的反向恢复时间，典型值仅为4纳秒，这使得它非常适合高频开关应用。在数字逻辑电路或高速信号线路中，当需要快速切换状态时，普通二极管可能会因为较长的存储时间和恢复延迟而导致信号失真或功耗增加。而该器件凭借其出色的动态响应能力，能够迅速从导通状态切换到截止状态，有效减少开关损耗并提高整体系统效率。
　　另一个关键特性是其低正向电压降，在10mA的工作电流下典型值为1.1V。较低的VF意味着在导通状态下能量损失更小，有助于提升电池供电设备的能效表现。这对于移动终端产品尤为重要，因为它直接影响待机时间和续航能力。同时，低VF也有助于降低热耗散，避免局部过热对周边敏感元件造成影响。
　　该器件采用SOD-523封装，尺寸极为紧凑（约1.0×0.6×0.5mm），特别适合空间受限的应用场景。这种微型化设计不仅提高了PCB布局的灵活性，还支持更高的集成度。此外，封装材料具备良好的机械强度和热稳定性，确保在回流焊工艺过程中不会发生变形或性能退化。
　　1SS380TE-17还具备优异的温度稳定性与长期可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境条件下保持正常运行。器件通过了严格的工业级认证，包括高温反向偏置测试（HTRB）、温度循环测试和湿度敏感性等级评估，确保在各种严苛应用场景下的耐用性。此外，其反向漏电流极低（最大1μA@70V），即使在高压环境下也能维持良好的关断特性，防止不必要的电流泄漏导致系统异常。

1SS380TE-17主要应用于需要高速响应和小尺寸封装的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，该二极管常被用于电源路径管理、电池充放电控制以及接口电平转换电路。例如，在USB数据线或音频接口中，它可以作为瞬态电压抑制器来吸收静电放电（ESD）脉冲，从而保护后端集成电路免受损坏。
　　在通信设备中，该器件可用于射频前端模块中的信号检波或隔离电路，利用其快速开关特性实现高频信号的有效处理。此外，在数字逻辑电路中，1SS380TE-17可以用于钳位二极管配置，防止输入引脚电压超出安全范围，起到电平保护作用。
　　工业控制系统和传感器模块也广泛使用此类高速开关二极管。例如，在微控制器I/O口的保护电路中，它可以快速响应外部干扰或电压尖峰，确保主控芯片的安全运行。同时，在DC-DC转换器或LDO稳压器的外围电路中，该二极管可用于防止反向电流流动，提高电源系统的稳定性。
　　此外，由于其符合RoHS指令且不含卤素，1SS380TE-17适用于对环保要求较高的出口型电子产品。无论是家用电器、医疗监测设备还是车载信息娱乐系统，只要涉及高频信号处理或精密电源管理，这款二极管都能提供可靠的性能支持。

MMBD1401LT1G
　　BAS70WT1
　　1SS356-TB-E