类型：开关二极管
　　极性：单二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　最大均方根电压（VRMS）：49V
　　最大平均整流电流（IO）：150mA
　　正向压降（VF）：典型值0.78V（在IF=1mA时）
　　最大正向压降（VF）：1.0V（在IF=10mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA（在VR=60V时）
　　反向恢复时间（trr）：最大4ns（在IARM=1mA, RL=100Ω条件下）
　　结温（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOD-523

1SS376TE-17的核心特性之一是其超快的反向恢复时间，典型值仅为4ns，这使其能够在高频开关应用中表现出色。在数字信号传输路径中，快速的开关响应能力可以有效减少信号失真和延迟，提升系统整体响应速度与稳定性。这一特性得益于器件内部优化的PN结构设计和高质量的硅材料制程，确保了载流子复合时间短，从而显著降低开关过程中的过渡损耗。该二极管的正向压降较低，在1mA工作电流下典型值为0.78V，有助于减少功耗并提高能效，尤其在低电压供电系统中表现优异。同时，其最大平均整流电流可达150mA，足以满足大多数便携式电子设备和信号调理电路的需求。
　　另一个重要特性是其低结电容，典型值约为1pF左右（具体数值需参考数据手册），这对高频应用至关重要。低结电容意味着在高频信号通过时不会引入明显的容抗影响，避免信号衰减或相位偏移，因此非常适合用于射频信号检测、高速数据线路保护和高速逻辑接口中。此外，SOD-523封装尺寸极小（约1.0×0.6×0.5mm），实现了高度集成化布局，有利于缩小PCB面积，提升产品紧凑度，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、无线模块等空间受限的产品中。
　　1SS376TE-17还具备良好的热稳定性和环境适应性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛环境下的应用场景。其反向漏电流极低，在常温下不超过1μA，保证了在高阻抗电路中的信号完整性。综合来看，该器件以其高速、小型、高效的特点成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

1SS376TE-17主要应用于高频信号处理和精密开关电路中。常见用途包括高速数字逻辑电路中的信号整形与隔离，例如在微控制器I/O端口保护、FPGA输入缓冲等场景中防止过压或反接损坏。它也广泛用于通信设备中的射频检波电路，如调制解调器、无线收发模块中的包络检测环节。此外，在电源管理电路中，该二极管可用于瞬态电压抑制（TVS）辅助电路、ESD静电放电保护以及电压钳位网络，以保障敏感芯片免受浪涌冲击。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机中，常用于电池充电路径的防反接保护或背光驱动电路中的快速切换功能。其小型封装也使其成为便携式医疗设备、传感器模块和物联网节点的理想选择。工业自动化设备中的信号隔离、PLC输入滤波电路同样会采用此类高速二极管来提升系统抗干扰能力。总之，凡是对开关速度、空间占用和功耗有较高要求的应用领域，1SS376TE-17都能提供可靠的解决方案。

MMBD170LT1G
　　RB751S-40
　　BAS70-04E6352