类型：硅小信号开关二极管
　　最大反向电压（VR）：80V
　　平均整流电流（IO）：150mA
　　最大瞬时正向电流（IFSM）：500mA
　　反向漏电流（IR）：100nA（最大）
　　正向压降（VF）：1.0V（最大，IF=10mA）
　　反向恢复时间（trr）：4ns（最大）
　　结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-523

1SS355-A 具备出色的高频性能和快速恢复能力，使其非常适合用于射频信号处理和高速开关电路。其反向恢复时间（trr）仅为4ns，确保在高频工作条件下能够快速切换状态，减少信号失真。此外，该器件的结电容较低，典型值为约2pF，有助于降低信号路径中的寄生效应，提高整体电路的稳定性。
　　该二极管的封装形式为SOD-523，体积小巧，适合高密度PCB布局。其额定反向电压为80V，可在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种模拟和数字电路中的信号整流和保护。1SS355-A 的正向压降较低，最大为1.0V（IF=10mA），有助于降低功耗并提高能效。
　　该器件在制造过程中符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代电子产品对环保的要求。

1SS355-A 主要应用于以下领域：
　　1. 射频和微波电路中的信号检波与开关控制。
　　2. 通信设备中用于信号路径切换和保护电路。
　　3. 数字电路中的高速开关应用，如逻辑控制电路。
　　4. 电源管理电路中的小信号整流和反向电流保护。
　　5. 各类消费电子和工业控制系统中用于高频信号处理与整流。
　　由于其优良的高频特性与小封装形式，1SS355-A 特别适合空间受限且要求高性能的便携式电子设备，如智能手机、无线模块和射频识别（RFID）设备。

1N4148WS、1SS355、BAV99、BAR14