类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SMB（DO-214AA）
　　齐纳电压（Vz）：12V @ 21mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：1.5W
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 10.2V
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：28Ω @ 21mA
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　安装类型：表面贴装
　　峰值脉冲功率（Ppk）：1250W @ 10×1000μs波形
　　温度系数：+8mV/°C（典型值）
　　引脚数：2

1SMB5935R4的核心特性之一是其精确的电压调节能力。该齐纳二极管在21mA的测试电流下提供12V的标称齐纳电压，容差为±5%，确保在各种工作条件下都能维持稳定的输出电压。这种高精度使其非常适合作为电压参考源，尤其是在需要稳定基准的应用中，如模拟电路中的偏置设置或ADC/DAC参考点。其低动态阻抗（最大28Ω）意味着在负载变化时电压波动较小，从而提升了系统的整体稳定性。此外，低反向漏电流（仅1μA @ 10.2V）保证了在未击穿状态下几乎不消耗额外电流，这对于低功耗设计至关重要。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和可靠性。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其可在极端温度环境下可靠运行，适用于高温工业环境或发动机舱附近的汽车电子系统。同时，+8mV/°C的正温度系数虽然会随温度升高导致电压略微上升，但在许多补偿电路中可通过外部元件进行校正。更重要的是，1SMB5935R4通过了AEC-Q101车规级认证，证明其在振动、湿度、热循环等严苛条件下的耐久性，满足汽车电子对长期可靠性的严格要求。
　　在瞬态保护方面，1SMB5935R4表现出色。其峰值脉冲功率可达1250W（基于10×1000μs波形），使其能够有效吸收来自ESD、雷击感应或开关瞬变引起的高压尖峰，保护后续敏感电路。结合SMB封装的小尺寸和良好散热能力，该器件可在紧凑空间内实现高效的能量耗散。此外，表面贴装设计便于自动化生产，提高组装效率并降低制造成本。综合来看，1SMB5935R4不仅具备高性能的电气参数，还在环境适应性、安全性和生产工艺兼容性方面表现优异，是一款多功能、高可靠性的电压保护与稳压解决方案。

1SMB5935R4广泛应用于多个电子领域，主要用于电压调节、基准电压源和瞬态电压抑制（TVS）保护电路。在电源管理系统中，它常用于线性稳压器或开关电源的反馈回路中，提供精确的12V参考电压，确保输出电压的稳定性。由于其低动态阻抗和良好的温度稳定性，也适用于精密测量仪器和数据采集系统中的模拟前端电路，作为基准源使用。
　　在工业控制系统中，1SMB5935R4可用于PLC模块、传感器接口和通信接口（如RS-232、RS-485）的过压保护，防止因线路干扰或电源异常导致的设备损坏。其高达1250W的峰值脉冲功率承受能力使其成为理想的瞬态抑制器件，能有效抵御ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和浪涌冲击。
　　在汽车电子领域，该器件被广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、电机驱动单元和电池管理系统中。得益于其通过AEC-Q101认证和宽工作温度范围，能够在发动机舱或极端气候条件下长期稳定运行。此外，在消费类电子产品如智能手机充电器、笔记本电脑适配器和智能家居控制器中，1SMB5935R4也常用于次级侧电压钳位和防反接保护，提升产品安全性和使用寿命。

MMSZ5241BT1G
　　PMBZ5241B,115
　　BZT52C12-GS08
　　ZMM12